[發明專利]制造用于面內切換模式液晶顯示器裝置的陣列基板的方法有效
| 申請號: | 201210599070.4 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103311182A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 崔元俊 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 用于 切換 模式 液晶顯示器 裝置 陣列 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種液晶顯示器(LCD)裝置,更具體地講,涉及一種制造用于面內切換(IPS)模式LCD裝置的陣列基板的方法,該LCD裝置包括具有細的線寬(fine?line?width)的公共電極和像素電極。
背景技術
由于高對比度而有利于顯示運動圖像并被普遍地用于電視和監視器中的液晶顯示器(LCD)裝置,可以基于光學各向異性和液晶(LC)的偏振來形成圖像。
LCD裝置可以包括作為基本構件的LC面板。LC面板可以通過在相互平行設置的兩片基板之間夾入液晶層并將液晶層與兩片基板結合起來而形成。在LCD裝置中,根據LC面板中產生的電場,布置LC分子的方向可以被改變,以獲得透射率的差異。
最近,因為有源矩陣(AM)型LCD裝置具有高分辨率并能很好地顯示運動圖像,所以被配置成根據垂直產生的電場來驅動LC的AM型LCD裝置已被廣泛地應用。然而,因為LC由垂直施加的電場驅動,所以AM型LCD裝置具有較差的視角特性。
出于這種原因,已經提出了用來克服狹窄視角的各種方法。在這些方法中,一種根據水平電場驅動LC的方法正被密切關注。
圖1是典型的面內切換模式LCD裝置的LC面板的截面圖。
參照圖1,用作陣列基板的下基板1和用作濾色器基板的上基板3可以彼此分開并相對設置,并且液晶層5可以插入在上基板3和下基板1之間。
公共電極21和像素電極25可形成在下基板1的同一平坦表面上。液晶層5可以根據由公共電極21和像素電極25產生的水平電場L工作。
如上所述,面內切換模式LCD裝置可以包括形成在下基板1上的公共電極21和像素電極25,并在兩個電極21和25之間產生水平電場L,使得LC分子能夠平行于與上基板3和下基板1平行的水平電場L來排列。因此,拓寬了LCD裝置的視角。
同時,在面內切換模式LCD裝置中,由于液晶層5根據形成在像素電極25和公共電極21之間的水平電場L而工作,所以不能驅動布置在像素電極25和公共電極21上的液晶層5。因此,開口率可能減小像素電極25和公共電極21的面積那么多。
出于這種原因,為了提高開口率,需要將具有細的線寬的像素電極和公共電極用于現有的面內切換模式LCD裝置。然而,由于現有曝光工具的分辨率的限制,所以具有小于大約2.5μm線寬的像素電極和公共電極的形成在技術上受到了限制。
發明內容
因此,本發明旨在提供一種制造用于面內切換(IPS)模式液晶顯示器(LCD)裝置的陣列基板的方法,該方法基本上克服了由于現有技術的限制和缺陷而產生的一個或多個問題。
本發明的一個目的是提供IPS模式LCD裝置,其中像素電極和公共電極被形成為具有大約2.5μm或更小的細的線寬。
本發明的另一個目的是提供一種提高了開口率的IPS模式LCD裝置。
本發明另外的特征和優點將在下面的描述中進行闡述,并且部分地將從描述中清楚地得到,或者可以通過本發明的實踐而得知。通過尤其是在撰寫的說明書和權利要求及其附圖中指出的結構,可以實現并獲得本發明的目的和其它優點。
為了實現這些及其他優點并且遵循本發明的目的,如在此表達的和大致描述的,制造用于IPS模式LCD裝置的陣列基板的方法包括以下步驟:在基板上順序地形成第一金屬層和第二金屬層;在所述第二金屬層上形成光致抗蝕劑圖案,該光致抗蝕劑圖案具有第一線寬;對暴露在所述光致抗蝕劑圖案之外的所述第一金屬層和所述第二金屬層進行蝕刻,以形成具有比所述第一線寬小的第二線寬的雙層結構的第一金屬圖案和第二金屬圖案;移除所述光致抗蝕劑圖案;通過使用作為掩膜的所述第二金屬圖案和用于有選擇地蝕刻所述第一金屬圖案的第一蝕刻劑,有選擇地將所述第一金屬圖案蝕刻為具有比所述第二線寬小的第三線寬以形成像素電極和公共電極;以及通過使用用于有選擇地蝕刻所述第二金屬圖案的第二蝕刻劑來有選擇地蝕刻和移除所述第二金屬圖案。
所述第一線寬可在從大約2.5μm到大約3.5μm的范圍內,所述第二線寬可在從大約1.5μm到大約2.5μm的范圍內,并且所述第三線寬可在從大約0.5μm到大約1.0μm的范圍內。所述第一金屬層可以由從由鈦鉬(MoTi)、鉬、鈦、鉬合金、鈦合金、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO)組成的組中選出的一種形成。
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