[發明專利]讀取器阻擋層有效
| 申請號: | 201210597631.7 | 申請日: | 2012-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN103295588A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | C·P·凡多恩;T·R·布恩斯塔 | 申請(專利權)人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分類號: | G11B5/127 | 分類號: | G11B5/127;G11B5/40 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 讀取器 阻擋 | ||
1.一種層疊磁結構,包括:
一個或多個阻擋層,用于在沒有實質上老化的情況下或者在沒有實質上受到對層疊磁結構化學蝕刻作用的情況下,抵抗層疊磁結構的機械拋光。
2.按照權利要求1所述的層疊磁結構,其中所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護讀取器屏蔽件在對相鄰氧化鋁襯墊進行機械拋光期間不產生凹坑。
3.按照權利要求1所述的層疊磁結構,其中所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護層疊磁結構的一層在對相鄰層進行機械拋光期間不產生凹坑。
4.按照權利要求1所述的層疊磁結構,其中所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護氧化鋁襯墊在對相鄰的再沉積尖刺進行機械拋光期間不產生凹坑。
5.按照權利要求1所述的層疊磁結構,其中層疊磁結構包括讀取器疊層,并且所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護讀取器疊層在對相鄰的再沉積尖刺進行機械拋光期間不產生凹坑。
6.按照權利要求1所述的層疊磁結構,其中所述一個或更多阻擋層包括釕。
7.按照權利要求1所述的層疊磁結構,其中所述一個或更多阻擋層進一步抵抗化學-機械拋光處理。
8.一種制造層疊磁結構的方法,包括:
在層疊磁結構的受保護部件上沉積阻擋層;以及
在不對阻擋層產生明顯凹坑的情況下,對與受保護部件鄰接的材料進行機械地拋光。
9.按照權利要求8所述的方法,其中受保護部件是讀取器屏蔽件、氧化鋁襯墊和讀取器疊層中的一個或者多個。
10.按照權利要求8所述的方法,其中鄰接保護部件的材料是氧化鋁襯墊。
11.按照權利要求8所述的方法,其中鄰接保護部件的材料是當去除層疊磁結構的層時形成的再沉積尖刺。
12.按照權利要求8所述的方法,其中阻擋層包括釕。
13.按照權利要求8所述的方法,其中在不對受保護部件產生凹坑的情況下實現機械拋光操作。
14.照權利要求8所述的方法,還包括:
化學蝕刻去除阻擋層的至少一部分。
15.一種讀取元件,包括:
一個或多個阻擋層,用以在沒有老化和對讀取元件產生化學蝕刻的情況下阻擋對讀取元件的機械拋光,其中,所述一個或多個阻擋層的至少一個阻擋層在真空裝置中被沉積在讀取元件的一個或者多個自由層和隔離層上。
16.按照權利要求15所述的讀取元件,其中所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護讀取元件的一層在對相鄰層進行機械拋光期間不產生凹坑。
17.按照權利要求15所述的讀取元件,其中所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護讀取器屏蔽件在對相鄰氧化鋁襯墊進行機械拋光期間不產生凹坑。
18.按照權利要求15所述的讀取元件,其中所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護氧化鋁襯墊在對相鄰的再沉積尖刺進行機械拋光期間不產生凹坑。
19.按照權利要求15所述的讀取元件,其中所述一個或更多阻擋層中的一個阻擋層保護所述一個或多個自由層和隔離層在對相鄰的再沉積尖刺進行機械拋光期間不產生凹坑。
20.按照權利要求15所述讀取元件,其中所述一個或更多阻擋層包括釕。
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