[發(fā)明專(zhuān)利]用于將電極附連到感應(yīng)耦合等離子體源的系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210597226.5
• 申請(qǐng)日: 2012-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103140010A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·科洛格;A·格勞佩拉;N·W·帕克;A·B·維爾斯;M·W·尤特勞特;W·斯科茨拉斯;G·A·施溫德;S·張;N·史密斯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: FEI公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05H1/24
• 分類(lèi)號(hào): H05H1/24
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;李浩

1.一種用于將電極可移除地附連到感應(yīng)耦合等離子體源的系統(tǒng)，包括：

具有反應(yīng)室的感應(yīng)耦合等離子體源；

附連到所述反應(yīng)室的界面層；

附著到所述界面層的安裝環(huán)；以及

附連到所述安裝環(huán)的源電極，所述界面層、安裝環(huán)和源電極的組合在反應(yīng)室附連部分和所述源電極之間形成熱傳導(dǎo)的密封。

2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中界面層包括薄金屬層。

3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中金屬包括鉬、錳、鎳、銦、鋁、銀、或者金。

4.如在前任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中安裝環(huán)和源電極包括抵抗等離子環(huán)境并且在制造和操作期間忍受的溫度范圍內(nèi)具有與反應(yīng)室的熱膨脹系數(shù)相兼容的熱膨脹系數(shù)的金屬。

5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中安裝環(huán)或者源電極包括鉬、鎳或者鈷。

6.如在前任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中安裝環(huán)通過(guò)釬焊而附著到所述界面層。

7.如在前任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中所述源電極被壓配合到所述安裝環(huán)中。

8.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中所述源電極使用一個(gè)或多個(gè)緊固件被附連到所述安裝環(huán)。

9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中一個(gè)或多個(gè)緊固件包括定位在所述源電極的周邊周?chē)囊粋€(gè)或多個(gè)螺釘。

10.如權(quán)利要求8或權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中一個(gè)或多個(gè)緊固件包括一個(gè)或多個(gè)凸輪。

11.如權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中凸輪被安裝到反應(yīng)室本體上。

12.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述緊固件包括卡口耦合。

13.一種用于將電極可移除地附連到感應(yīng)耦合等離子體源的系統(tǒng)，包括：

具有反應(yīng)室的感應(yīng)耦合等離子體源，所述反應(yīng)室具有源電極附連部分；

源電極，其中所述電極可移除地附連到反應(yīng)室；以及

在反應(yīng)室上的界面層，用以提供在反應(yīng)室和所述源電極之間或者在反應(yīng)室和源電極被安裝到的元件之間的熱傳導(dǎo)、真空密封的接合點(diǎn)。

14.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述界面層包括軟金屬層。

15.如權(quán)利要求13或14所述的系統(tǒng)，其中所述界面層包括多層金屬層。

16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中多層金屬層的第一層包括接合到反應(yīng)室的材料以及多層金屬層的第二層包括接合到源電極所附連的安裝環(huán)的材料。

17.如在前任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中所述界面層包括鉬、錳、鎳、銦、鋁、銀或者金。

18.一種將電極可移除地附連到感應(yīng)耦合等離子體源的方法，包括：

提供具有反應(yīng)室的感應(yīng)耦合等離子體源，所述反應(yīng)室在源電極或者源電極所附連的元件被安裝到的反應(yīng)室的部分上具有界面層；并且

將源電極可移除地附連到等離子體源，所述界面層提供在反應(yīng)室和源電極或者源電極附連到的元件之間的熱傳導(dǎo)、真空密封的接合點(diǎn)。

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中提供具有反應(yīng)室的感應(yīng)耦合等離子體源，所述反應(yīng)室具有界面層包括提供附連到界面層的安裝環(huán)，以及其中將源電極可移除地附連到等離子體源包括將源電極可移除地附連到所述安裝環(huán)。

20.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括從安裝環(huán)中移除源電極以及將第二源電極附連到安裝環(huán)。

21.如權(quán)利要求19或權(quán)利要求20所述的方法，其中將源電極可移除地附連到所述安裝環(huán)包括使用緊固件來(lái)將所述源電極可移除地附連到所述安裝環(huán)。

22.如權(quán)利要求19-20所述的方法，其中將源電極可移除地附連到所述安裝環(huán)包括將所述源電極壓配合到所述安裝環(huán)。

23.如權(quán)利要求19-22所述的方法，其中所述安裝環(huán)通過(guò)釬焊而附連到所述界面層。