[發(fā)明專利]產(chǎn)生振蕩信號(hào)的電路和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210596236.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103916101B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林鴻武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): H03K3/02
• 分類號(hào): H03K3/02;G05F3/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種電路，其特征在于，包括：

-振蕩器模塊(10)，該模塊包括：

-第一MOS晶體管(MN7)，具有柵極，耦接至參考電壓節(jié)點(diǎn)的源極，以及耦接至該振蕩器模塊的第一觸發(fā)節(jié)點(diǎn)的漏極，用于通過被交替地關(guān)斷和導(dǎo)通來產(chǎn)生該振蕩器模塊的振蕩輸出信號(hào)；

-第一電容(C1)，耦接在第一MOS晶體管的柵極和源極之間，并被配置為相應(yīng)于該振蕩信號(hào)而交替地被充電或放電，以將該第一MOS晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷；

該電路還包括：

-電流源(20)，被配置為控制流經(jīng)該第一MOS晶體管的電流，以使得當(dāng)該第一MOS晶體管被導(dǎo)通時(shí)，該第一MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于一第一值，

其中，該電流源包括：

第二MOS晶體管(MN4)，具有與第一MOS晶體管相同的結(jié)構(gòu)；

電壓控制模塊，被配置為：在該第二MOS晶體管被導(dǎo)通時(shí)，控制第二MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于該第一值；

電流鏡，具有一個(gè)電阻，該電阻耦接在第二MOS晶體管的柵極和源極之間，其中，該電流鏡泄放與流過該電阻的電流相同的電流通過第一MOS晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，該電壓控制模塊包括：

第三MOS晶體管(MN3)，具有耦接到第二MOS晶體管的漏極的源極；

第四MOS晶體管(MN1)，具有耦接到該第三MOS晶體管的柵極的源極；

第五MOS晶體管(MN6)，具有耦接到第四MOS晶體管的柵極和第三MOS晶體管的漏極的柵極，以及耦接到該第二MOS晶體管的柵極的源極；和

第六MOS晶體管(MN2)，具有都耦接到第四MOS晶體管的源極的漏極和柵極；

其中，該第二、第三、第四、第五和第六MOS晶體管具有相同的結(jié)構(gòu)，且，

其中，該電流鏡泄放相同的電流通過該第三MOS晶體管(MN3)、第四MOS晶體管(MN1)和第五MOS晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中，該電壓控制控制進(jìn)一步包括：

第七M(jìn)OS晶體管(MN5)，具有耦接至第六MOS晶體管的源極的漏極和耦接至第二MOS晶體管的源極的源極，

其中，該第七M(jìn)OS晶體管具有與第二MOS晶體管相同的結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中，該電流源進(jìn)一步包括：

第一電容濾波器(CF1)，耦接在第五MOS晶體管(MN6)的柵極和第二MOS晶體管(MN4)的源極之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，該振蕩器模塊還包括：

第八MOS晶體管(MN8)，具有柵極，耦接于參考電壓節(jié)點(diǎn)的源極，以及耦接到該振蕩器模塊的第二觸發(fā)節(jié)點(diǎn)的漏極，用于被交替地導(dǎo)通和關(guān)斷以生成該振蕩器模塊的振蕩輸出信號(hào)，第八MOS晶體管具有與第一MOS晶體管相同的結(jié)構(gòu)，和

第二電容(C2)，耦接在第八MOS晶體管的柵極和源極之間，并被配置為響應(yīng)于該振蕩輸出信號(hào)而被交替地充電或放電，以將該第八MOS晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷；

其中，該振蕩器模塊交替地充電該第一和該第二電容，從而交替地導(dǎo)通該第一和該第八MOS晶體管；且

其中，該電流源被配置為控制流過第八MOS晶體管的電流，使得當(dāng)?shù)诎薓OS晶體管被導(dǎo)通時(shí)該第八MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于第一值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，該電流鏡泄放與流過該電阻的電流相同的電流來充電該第一電容。

7.一種產(chǎn)生振蕩信號(hào)的方法，包括如下步驟：

-通過導(dǎo)通和關(guān)斷第一MOS晶體管，經(jīng)由該第一MOS晶體管(MN7)的漏極和源極將觸發(fā)輸入耦接到參考電壓節(jié)點(diǎn)；

-控制流過該第一MOS晶體管的電流，使得當(dāng)該第一MOS晶體管被導(dǎo)通時(shí)在第一MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于第一值，

其中，該控制步驟包括：

-控制第二MOS晶體管(MN4)的漏極和源極之間的電壓，使得該電壓不大于該第一值，該第二MOS晶體管具有與該第一MOS晶體管相同的結(jié)構(gòu)；

-在第二MOS晶體管的柵極和源極之間耦接一個(gè)電阻(R)，并且

-泄放與流過該電阻的電流相同的電流(I_bias)經(jīng)過該第一MOS晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，導(dǎo)通該第一MOS晶體管的步驟包括：

-泄放與流過該電阻的電流相同的電流(I_bias)來對(duì)電容充電，該電容耦接在該第一MOS晶體管的柵極和源極之間，以將該第一MOS晶體管導(dǎo)通。