[發(fā)明專利]靶材檢測方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210594763.4
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103913416A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;張金林
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料有限公司
• 主分類號: G01N21/00
• 分類號: G01N21/00;G01N1/32
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種靶材檢測方法，其特征在于，包括：

提供靶材；

沿垂直靶材濺射面方向切割靶材，獲得至少三個靶材試樣，所述靶材試樣的切面為靶材斷面；

對所有靶材試樣的靶材斷面進行腐蝕處理；

沿垂直靶材濺射面方向?qū)γ恳粋€腐蝕處理過的靶材斷面進行多次取圖，對應(yīng)每一個靶材斷面得到多張晶粒分布圖片；

使用直線截點法對每一張晶粒分布圖片進行分析，每一張晶粒分布圖片獲得一個平均晶粒度；

根據(jù)所有平均晶粒度判斷靶材是否合格。

2.如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，在穿過靶材濺射面中心的直

線上獲得至少三個靶材試樣。

3.如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，對所述靶材斷面進行腐蝕處理的方法，包括：

對所述靶材斷面進行表面處理，得到平整光亮的靶材斷面；

使用腐蝕劑，對表面處理過的靶材斷面進行化學腐蝕，顯示靶材斷面的晶界。

4.如權(quán)利要求3所述的檢測方法，其特征在于，所述表面處理的方法，包括：

對所述靶材斷面進行打磨處理，得到平整靶材斷面；

對打磨處理后的靶材斷面進行拋光處理，得到平整光亮的靶材斷面。

5.如權(quán)利要求4所述的檢測方法，其特征在于，所述對打磨處理后的靶材斷面進行拋光處理的方法，包括：以酒精作為潤濕劑，對靶材斷面進行機械拋光處理；機械拋光處理后，使用清水對靶材斷面進行清洗、冷卻。

6.如權(quán)利要求4所述的檢測方法，其特征在于，所述對打磨處理后的靶材斷

面進行拋光處理的方法為電解拋光。

7.如權(quán)利要求3所述的檢測方法，其特征在于，當所述靶材為鎳合金，則腐蝕劑為質(zhì)量百分比濃度為65%~68%的硝酸溶液。

8.如權(quán)利要求3所述的檢測方法，其特征在于，當所述靶材為鈦合金，則腐蝕劑為硝酸溶液和氫氟酸溶液的混合溶液，其中，硝酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為65%~68%，氫氟酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為35%~45%的氫氟酸，混合溶液中水、硝酸、氫氟酸的體積比為20：2：1。

9.如權(quán)利要求3所述的檢測方法，其特征在于，當所述靶材為鉭合金，則腐蝕劑為硫酸溶液、硝酸溶液和氫氟酸溶液的混合溶液，其中，混合溶液中硫酸、硝酸和氫氟酸的體積百分比為2：2：5。

10.如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，根據(jù)所有平均晶粒度判斷靶材是否合格的方法，包括：

將每一個平均晶粒度與晶粒度控制范圍進行比較，若所有平均晶粒度均處于晶粒度控制范圍內(nèi)，則判斷靶材合格；若至少一個平均晶粒度處于晶粒度控制范圍外，則判斷靶材不合格。