[發(fā)明專利]I/O接口電路及包含該電路的按鍵掃描裝置及掃描方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210594660.8 | 申請日: | 2012-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103095308A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭尊標;馮兵 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03M11/20 | 分類號: | H03M11/20 |
| 代理公司: | 杭州華知專利事務(wù)所 33235 | 代理人: | 張德寶 |
| 地址: | 310012*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接口 電路 包含 按鍵 掃描 裝置 方法 | ||
1.一種I/O接口電路,包括與I/O接口相連的輸出狀態(tài)控制模塊和第一輸入狀態(tài)控制模塊,輸出狀態(tài)控制模塊包括順次相連的第一固定電平和第一開關(guān)單元,第一開關(guān)單元的另一端與I/O接口相連,第一輸入狀態(tài)控制模塊包括順次相連的第二固定電平、第二開關(guān)單元和第二電阻單元,第二電阻單元的另一端與I/O接口相連,第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元的控制端連接有用于控制開關(guān)單元導(dǎo)通或斷開的開關(guān)控制器,第一固定電平與第二固定電平邏輯相反,其特征在于,所述I/O接口電路還連接有第二輸入狀態(tài)控制模塊,第二輸入狀態(tài)控制模塊設(shè)有用于縮短I/O接口電平切換時間的第一電阻單元和第三開關(guān)單元,第二固定電平、第三開關(guān)單元和第一電阻單元順次相連,第一電阻單元的另一端與I/O接口相連,第三開關(guān)單元的控制端與開關(guān)控制器相連;開關(guān)控制器輸出控制信息控制第一開關(guān)單元、第二開關(guān)單元和第三開關(guān)單元的導(dǎo)通狀態(tài),并分別配置與導(dǎo)通的第一開關(guān)單元所在模塊相連的I/O接口為輸出第一固定電平狀態(tài),與導(dǎo)通的第二開關(guān)單元所在模塊相連的I/O接口為第一輸入狀態(tài),與導(dǎo)通的第三開關(guān)單元所在模塊相連的I/O接口為第二輸入狀態(tài);所述開關(guān)控制器至少包括一組控制信息,使處于輸出第一固定電平狀態(tài)的I/O接口配置為第二輸入狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的I/O接口電路,其特征在于,所述I/O接口電路為內(nèi)置上拉結(jié)構(gòu)的上拉I/O接口電路,則第一固定電平為低電平,第二固定電平為高電平,所述第一電阻單元為強上拉電阻,第二電阻單元為弱上拉電阻,第一開關(guān)單元、第二開關(guān)單元和第三開關(guān)單元分別為用于控制上述電阻接入狀態(tài)的MOS管,所述輸出第一固定電平狀態(tài)為輸出低電平狀態(tài),第一輸入狀態(tài)為帶弱上拉輸入狀態(tài),第二輸入狀態(tài)為帶強上拉輸入狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的I/O接口電路,其特征在于,所述I/O接口電路為內(nèi)置下拉結(jié)構(gòu)的下拉I/O接口電路,則第一固定電平為高電平,第二固定電平為低電平,所述第一電阻單元為強下拉電阻,第二電阻單元為弱下拉電阻,第一開關(guān)單元、第二開關(guān)單元和第三開關(guān)單元分別為用于控制上述電阻接入狀態(tài)的MOS管,所述輸出第一固定電平狀態(tài)為輸出高電平狀態(tài),第一輸入狀態(tài)為帶弱下拉輸入狀態(tài),第二輸入狀態(tài)為帶強下拉輸入狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的I/O接口電路,其特征在于,所述I/O接口電路為同時內(nèi)置上拉結(jié)構(gòu)和下拉結(jié)構(gòu)的上下拉I/O接口電路,上下拉I/O接口電路包括兩組I/O接口電路,分別為上拉I/O接口電路和下拉I/O接口電路;所述上拉I/O接口電路的第一固定電平為低電平,第二固定電平為高電平,第一電阻單元為強上拉電阻,第二電阻單元為弱上拉電阻,第一開關(guān)單元、第二開關(guān)單元和第三開關(guān)單元分別為用于控制上述電阻接入狀態(tài)的MOS管,輸出第一固定電平狀態(tài)為輸出低電平狀態(tài),第一輸入狀態(tài)為帶弱上拉輸入狀態(tài),第二輸入狀態(tài)為帶強上拉輸入狀態(tài);所述下拉I/O接口電路的第一固定電平為高電平,第二固定電平為低電平,第一電阻單元為強下拉電阻,第二電阻單元為弱下拉電阻,第一開關(guān)單元、第二開關(guān)單元和第三開關(guān)單元分別為用于控制上述電阻接入狀態(tài)的MOS管,輸出第一固定電平狀態(tài)為輸出高電平狀態(tài),第一輸入狀態(tài)為帶弱下拉輸入狀態(tài),第二輸入狀態(tài)為帶強下拉輸入狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的I/O接口電路,其特征在于,所述第一固定電平為GND,第二固定電平為VDD,第一開關(guān)單元為第一MOS管,第二開關(guān)單元為第三MOS管,第三開關(guān)單元為第二MOS管;第二MOS管和第三MOS管的源極均與VDD相連,第一MOS管的源極與GND相連,第二MOS管和第三MOS管的漏極分別與強上拉電阻和弱上拉電阻相連,強上拉電阻和弱上拉電阻的另一端與第一MOS管的漏極相連,第一MOS管的漏極為I/O接口的輸入端,第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的柵極均與開關(guān)控制器相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的I/O接口電路,其特征在于,所述第一固定電平為VDD,第二固定電平為GND,第一開關(guān)單元為第四MOS管,第二開關(guān)單元為第六MOS管,第三開關(guān)單元為第五MOS管;第五MOS管和第六MOS管的源極均與GND相連,第四MOS管的源極與VDD相連,第五MOS管和第六MOS管的漏極分別與強下拉電阻和弱下拉電阻相連,強下拉電阻和弱下拉電阻的另一端與第四MOS管的漏極相連,第四MOS管的漏極為I/O接口的輸入端,第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管的柵極與開關(guān)控制器相連。
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