[發明專利]一種薄膜混合集成電路電鍍方法

有效

• 申請號: 201210594109.3
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103236415A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 樊明國
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種薄膜混合集成電路電鍍方法，其特征在于，包括以下步驟：

A：在基片上磁控濺射沉積氮化鉭薄膜電阻，采用高純度鉭靶，濺射反應氣體為氮氣和氬氣；

B：在氮化鉭薄膜上依次濺射鈦鎢薄膜和金薄膜，使用鈦鎢靶和高純度金靶，濺射反應氣體為氬氣；

C：用光刻膠做掩膜，用碘和碘化鉀混合水溶液配置的金腐蝕液刻蝕掉設計圖形之外不需要的金，用鈦鎢腐蝕液濕法刻蝕掉設計圖形之外不需要的鈦鎢薄膜；

D：用氫氧化鉀溶液去除光刻膠后，用高純水沖洗后，再用分析純級丙酮溶液擦拭；

E:?采用熱氧化的方法在氮化鉭薄膜裸露的表面生成氧化薄膜后，進行電鍍并最終刻蝕出電路圖形；

F：將清洗干凈的基片用真空干燥箱預定溫度下熱氧化，使氮化鉭表面生成一層氧化鉭薄膜；

G：在室溫下分別經過除油劑除油處理和高純水清洗，然后再經過10％的鹽酸浸酸活化和高純水清洗；

H：取預定電流密度的電流進行電鍍，在電路上沉積一層金，電鍍結束后用高純水清洗60s，然后沸水中水煮；

I：用氟化銨和硝酸混合的腐蝕液腐蝕掉氧化鉭和氮化鉭得到設計電路圖形。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A中，所述氮氣和氬氣分壓比為N2:Ar＝1:35；所述濺射氮化鉭薄膜的方阻值為低于設計值的5∽15Ω/□。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述鈦鎢薄膜為0.05微米；所述金薄膜為0.2微米；所述氬氣的氣體的流量為70sccm。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟C中，所述金腐蝕液中碘含量為60g/L及碘化鉀含量為200g/L。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟C中，所述鈦鎢腐蝕液為30％的雙氧水溶液，腐蝕時間為10∽12min。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟D中，所述氫氧化鉀溶液為10%；所述高純水沖洗時間為60s。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟F中，所述真空干燥箱預定溫度設置在200℃∽280℃之間；所述氧化時間為180min∽360min。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟G中，所述除油劑除油處理時間為30s∽60s；所述高純水清洗時間為60s；所述鹽酸浸酸活化時間為30s∽60s。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟H中，所述預定電流密度為0.1∽0.3A/dm2；所述水煮時間為10min。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟I中，所述氟化銨和所述硝酸重量比為1:5。