[發(fā)明專利]一種井下?lián)Q能器激勵電路及其工作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210593754.3
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103076625A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 門百永;鞠曉東;喬文孝;王德國;盧俊強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國石油天然氣集團(tuán)公司;中國石油大學(xué)(北京)
• 主分類號: G01V1/04
• 分類號: G01V1/04
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 郭智

1.一種井下?lián)Q能器激勵電路，其特征在于，所述井下?lián)Q能器激勵電路包括：脈沖變壓器、VMOS陣列、激勵驅(qū)動電路和邏輯控制器，其中，

所述邏輯控制器，用于產(chǎn)生控制邏輯信號；

所述激勵驅(qū)動電路，用于根據(jù)所述控制邏輯信號生成控制所述VMOS陣列有秩序通斷的激勵控制信號；

所述VMOS陣列，用于在所述激勵控制信號的控制下，通過有秩序的通斷控制所述脈沖變壓器中的初級線圈激勵側(cè)的導(dǎo)通、繼流和非激勵側(cè)的高壓阻隔，從而在脈沖變壓器輸出級產(chǎn)生正向或反向激勵脈沖，然后發(fā)送給換能器。

2.如權(quán)利要求1所述井下?lián)Q能器激勵電路，其特征在于，

所述脈沖變壓器的初級由兩個(gè)初級線圈組成，且所述兩個(gè)初級線圈采用雙線并繞的形式實(shí)現(xiàn)，所述兩個(gè)初級線圈首尾相連構(gòu)成高壓供電輸入端。

3.如權(quán)利要求1所述井下?lián)Q能器激勵電路，其特征在于，

所述井下?lián)Q能器激勵電路中的每個(gè)激勵通道由所述VMOS陣列中的兩組串聯(lián)的VMOS組成所述脈沖變壓器初級線圈的通斷控制開關(guān)。

4.如權(quán)利要求1所述井下?lián)Q能器激勵電路，其特征在于，

所述激勵控制信號中的脈沖激勵過程由三個(gè)階段組成，分別是：預(yù)激勵階段、激勵階段和續(xù)流階段。

5.如權(quán)利要求1所述井下?lián)Q能器激勵電路，其特征在于，所述井下?lián)Q能器激勵電路還包括：高電壓供電電路和高壓儲能電路，

所述高壓儲能電路由多個(gè)大容量耐高溫的高壓儲能電容組成；在聲波激勵的間隙，所述高電壓供電電路中的全波整流電路輸出電流在所述儲能電容兩端形成高壓，為聲波激勵時(shí)的功率輸出提供能量。

6.一種井下?lián)Q能器激勵電路的工作方法，其特征在于，所述井下?lián)Q能器激勵電路包括：脈沖變壓器、VMOS陣列、激勵驅(qū)動電路和邏輯控制器，所述井下?lián)Q能器激勵電路的工作方法包括：

利用所述邏輯控制器產(chǎn)生控制邏輯信號；

利用所述激勵驅(qū)動電路根據(jù)所述控制邏輯信號生成控制所述VMOS陣列有秩序通斷的激勵控制信號；

利用所述VMOS陣列在所述激勵控制信號的控制下，通過有秩序的通斷控制所述脈沖變壓器中的初級線圈激勵側(cè)的導(dǎo)通、繼流和非激勵側(cè)的高壓阻隔，從而在脈沖變壓器輸出級產(chǎn)生正向或反向激勵脈沖，然后發(fā)送給換能器。

7.如權(quán)利要求6所述井下?lián)Q能器激勵電路的工作方法，其特征在于，

利用兩個(gè)初級線圈組成所述脈沖變壓器的初級，且所述兩個(gè)初級線圈采用雙線并繞的形式實(shí)現(xiàn)，所述兩個(gè)初級線圈首尾相連構(gòu)成高壓供電輸入端。

8.如權(quán)利要求6所述井下?lián)Q能器激勵電路的工作方法，其特征在于，

所述井下?lián)Q能器激勵電路中的每個(gè)激勵通道由所述VMOS陣列中的兩組串聯(lián)VMOS組成所述脈沖變壓器初級線圈的通斷控制開關(guān)。

9.如權(quán)利要求6所述井下?lián)Q能器激勵電路的工作方法，其特征在于，

所述激勵控制信號中的脈沖激勵過程由三個(gè)階段組成，分別是：預(yù)激勵階段、激勵階段和續(xù)流階段。

10.如權(quán)利要求6所述井下?lián)Q能器激勵電路的工作方法，其特征在于，所述井下?lián)Q能器激勵電路還包括：高電壓供電電路和高壓儲能電路，

利用多個(gè)大容量耐高溫的高壓儲能電容組成所述高壓儲能電路；在聲波激勵的間隙，所述高電壓供電電路中的全波整流電路輸出電流在所述儲能電容兩端形成高壓，為聲波激勵時(shí)的功率輸出提供能量。