[發明專利]多孔復合陶瓷部件、其制備方法以及等離子體處理腔室

有效

• 申請號: 201210593720.4
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103021773A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 姚國峰;賀小明
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/16
• 分類號: H01J37/16;H01J9/24;H01J37/32
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種用于等離子體處理腔室的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述多孔復合陶瓷部件包含：

一個多孔陶瓷基體,?其表面具有多個微孔；以及

含釔化合物，填充于所述多孔陶瓷基體整個表面和微孔內；其中，所述含釔化合物是通過將含有釔元素的流體滲入于所述多孔陶瓷基體表面的微孔中形成的。

2.根據權利要求1所述的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述含釔化合物的填充深度不小于所述多孔陶瓷基體的微孔孔深的2/3。

3.根據權利要求1或2所述的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述含釔化合物占整個多孔復合陶瓷部件的體積比小于15%。

4.根據權利要求3所述的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述含釔化合物占整個多孔復合陶瓷部件的體積比小于5%。

5.根據權利要求1或2所述的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述含釔化合物為Y₂O₃?、YF₃或YCl₃。

6.根據權利要求1所述的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述含有釔元素的流體是通過對金屬釔進行高溫加熱形成的熔融體。

7.根據權利要求1所述的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述含有釔元素的流體為含有Y(NO₃)₃的溶液。

8.根據權利要求1所述的多孔復合陶瓷部件，其特征在于，所述多孔復合陶瓷部件為等離子體聚焦環、接地環和/或噴淋頭。

9.制備權利要求1所述的多孔復合陶瓷部件的方法，其特征在于，包括：

步驟S01：制備含有釔元素的流體；

步驟S02：將所述含有釔元素的流體滲入所述多孔陶瓷基體表面的微孔中；

步驟S03：經過熱處理和/或等離子體時效處理，在所述多孔陶瓷基體的整個表面和微孔中形成含釔化合物，得到填充有含釔化合物的多孔復合陶瓷部件；

步驟S04：通過機械加工處理去除所述多孔復合陶瓷部件表面多余的含釔化合物，直至所述多孔復合陶瓷部件表面平滑。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：步驟S03中，首先進行熱處理，然后進行等離子體時效處理。

11.根據權利要求9或10所述的制備方法，其特征在于：步驟S03中，在空氣、氧氣、氯氣或含氟的氣體中進行所述熱處理工藝。

12.根據權利要求9或10所述的制備方法，其特征在于：步驟S03中，采用含氧等離子體、含氯等離子體或含氟等離子體進行所述的等離子體時效處理。

13.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述含有釔元素的流體是對金屬釔進行高溫加熱而形成的含有釔元素的熔融體。

14.根據權利要求9或13所述的制備方法，其特征在于：所述含有釔元素的流體是含有Y(NO₃)₃的溶液。

15.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述的含釔化合物的填充深度不小于所述多孔陶瓷基體的微孔孔深的2/3。

16.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述的含釔化合物可以為Y₂O₃?、YF₃或YCl₃。

17.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述含釔化合物占整個多孔復合陶瓷部件的體積比小于15%。

18.根據權利要求17所述的制備方法，其特征在于，所述含釔化合物占整個多孔復合陶瓷部件的體積比小于5%。

19.一種等離子體處理腔室，其特征在于：所述等離子體處理腔室包含權利要求1-8中所述的多孔復合陶瓷部件。