[發明專利]等離子體處理室及用于該等離子體處理室的氣體注入裝置

有效

• 申請號: 201210593652.1
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103915307A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 葉如彬;倪圖強
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種用于等離子體處理室的氣體注入裝置，所述裝置包括環形氣體注入管道，所述環形氣體注入管道內壁設置若干氣體注入口，其特征在于：所述氣體輸出的方向與所述氣體注入口指向所述環形氣體注入管道圓心的方向呈一銳角。

2.根據權利要求1所述的氣體注入裝置，其特征在于：所述的氣體注入口數量≥3，在所述環形氣體注入管道內壁上均勻分布。

3.根據權利要求1所述的氣體注入裝置，其特征在于：所述環形氣體注入管道的內壁厚度大于等于1mm，所述氣體注入口為穿透所述內壁的孔或窄槽，所述孔或窄槽的開口方向與所述氣體注入口指向所述環形氣體注入管道圓心的方向呈一銳角。

4.根據權利要求1所述的氣體注入裝置，其特征在于：所述氣體注入口包括穿透所述內壁的孔或窄槽，每個孔或窄槽的出口處設置一擋板，所述擋板方向與氣體注入口指向所述環形氣體注入管道圓心的方向呈一銳角。

5.根據權利要求4所述的氣體注入裝置，其特征在于：穿透所述內壁的孔或窄槽在所述內壁上的切口方向垂直于所述內壁或者與所述內壁呈其他角度；所述擋板的形狀可以為平板，也可以為帶有一定弧度的弧形板。

6.根據權利要求1所述的氣體注入裝置，其特征在于：所述氣體注入口包括穿透所述內壁的孔或窄槽和位于孔或窄槽出氣方向末端的噴嘴，所述噴嘴方向與氣體注入口指向所述環形氣體注入管道圓心的方向呈一銳角。

7.根據權利要求6所述的氣體注入裝置，其特征在于：穿透所述內壁的孔或窄槽在所述內壁的切口方向和位于孔或窄槽出氣方向末端的噴嘴方向相同或有一定的角度。

8.根據權利要求1所述的氣體注入裝置，其特征在于：所述若干氣體注入口的氣體輸出方向與所述氣體注入口指向所述環形氣體注入管道圓心的方向呈同一銳角。

9.一種等離子處理裝置，包括金屬側壁和絕緣頂板構成的真空封閉殼體，所述真空封閉殼體內設置基座和位于基座上方的待處理基片，以及施加到所述絕緣頂板上方圈狀天線上的射頻電源，其特征在于：所述金屬側壁和所述絕緣頂板間設置一氣體注入裝置，所述裝置包括環形氣體注入管道，所述環形氣體注入管道內壁設置若干氣體注入口，所述氣體輸出的方向與所述氣體注入口指向所述環形氣體注入管道圓心的方向呈一銳角。

10.根據權利要求9所述的等離子處理裝置，其特征在于：所述的氣體注入口在所述環形氣體注入管道內壁上均勻分布。