[發明專利]微結構保角性轉移方法

有效

• 申請號: 201210593568.X
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103021818A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 狄增峰;郭慶磊;張苗;魏星;薛忠營;母志強;戴佳赟
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種微結構保角性轉移方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供XOI襯底，所述XOI襯底自下而上依次為底層硅、埋氧層及頂層X納米薄膜；

2)在所述頂層X納米薄膜上涂覆預設圖形的光刻膠，所述預設圖形為啞鈴狀；

3)對所述頂層X納米薄膜進行刻蝕以將所述頂層X納米薄膜進行圖案化，形成預設圖形的微結構；所述微結構包括兩端區域及連接于所述兩端區域之間的中間圖形；

4)采用濕法腐蝕將所述埋氧層進行腐蝕，直至所述中間圖形完全懸空，且所述兩端區域以下仍有部分未被完全腐蝕掉的埋氧層；?

5)提供一基板，將所述基板與所述微結構相接觸，并迅速提起以將所述微結構自所述未被腐蝕掉的埋氧層處撕裂并轉移到所述基板上，所述微結構兩端區域與所述未被完全腐蝕掉的埋氧層相接觸的部分留在所述未被完全腐蝕掉的埋氧層上。

2.根據權利要求1所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述刻蝕采用反應離子刻蝕。

3.根據權利要求1所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述頂層X納米薄膜的X為硅、鍺或III-V族化合物。

4.根據權利要求1所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述頂層X納米薄膜的厚度范圍為10nm~200nm。

5.根據權利要求1所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述基板為柔性襯底。

6.根據權利要求5所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述柔性襯底的材料為聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯或蠶絲蛋白。

7.根據權利要求1所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述中間圖形為微米帶或亞微米帶。

8.根據權利要求1所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述中間圖形的寬度范圍為1μm~500μm。

9.根據權利要求1所述的微結構保角性轉移方法，其特征在于：所述濕法腐蝕采用氫氟酸或BOE溶液。