[發(fā)明專利]通孔和溝槽的形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210593385.8
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103915371A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白凡飛;宋興華
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種通孔和溝槽的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層；

對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，暴露出所述半導(dǎo)體襯底，形成通孔；

在所述第一介質(zhì)層的表面以及通孔中形成介質(zhì)阻擋層；

在所述介質(zhì)阻擋層表面形成第二介質(zhì)層；

對所述第二介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，并暴露出形成于通孔中的介質(zhì)阻擋層，形成與所述通孔連通的溝槽；

去除通孔中的介質(zhì)阻擋層。

2.如權(quán)利要求1所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，在形成第一介質(zhì)層之前，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成層間介質(zhì)層、位于層間介質(zhì)層中的金屬線以及覆蓋所述層間介質(zhì)層和金屬線的蝕刻阻擋層。

3.如權(quán)利要求2所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述蝕刻阻擋層的材質(zhì)為碳化硅。

4.如權(quán)利要求2所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，在形成所述第一介質(zhì)層之后，在所述第一介質(zhì)層上形成第一硬掩膜層。

5.如權(quán)利要求4所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，以所述第一掩膜層為掩膜對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，并停止在所述蝕刻阻擋層上。

6.如權(quán)利要求4所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材質(zhì)為氧化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材質(zhì)為超低K介質(zhì)材料。

8.如權(quán)利要求1所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)阻擋層的材質(zhì)為低K介質(zhì)材料。

9.如權(quán)利要求8所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)阻擋層的材質(zhì)為八甲基環(huán)四硅氧烷、碳氮化硅或低K氧化硅。

10.如權(quán)利要求8所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)阻擋層的厚度范圍是30A~100A。

11.如權(quán)利要求1所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材質(zhì)為超低K介質(zhì)材料。

12.如權(quán)利要求1所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，在形成所述第二介質(zhì)層之后，在所述第二介質(zhì)層上形成第二硬掩膜層。

13.如權(quán)利要求12所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，所述第二硬掩膜層的材質(zhì)為氧化硅。

14.如權(quán)利要求1所述的通孔和溝槽的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕或濕法刻蝕工藝去除通孔中的介質(zhì)阻擋層。