[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210593066.7
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103187512B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴錫訓(xùn);崔錫范;姜弼根;黃德起;韓伶妵;崔熙石;樸永錄;李泰暾;吳賢成;朱志熙;姜東祐;金成植
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?李玉鎖

1.一種發(fā)光器件，包括：

發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方；以及有源層，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；

支撐元件，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下方；

襯底，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上方；

反射電極層，位于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述支撐元件之間；以及

絕緣層，被布置在所述反射電極層與所述支撐元件之間并且在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述支撐元件之間；

第一連接電極、第二連接電極及第三連接電極，在所述支撐元件中彼此間隔開；

第一電極和第三電極，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第一連接電極和所述第三連接電極之間；以及

第二電極，位于所述反射電極層與所述第二連接電極之間，

其中所述第二連接電極被布置在所述第一連接電極與所述第三連接電極之間，

所述第一連接電極和所述第三連接電極彼此電性連接且與所述第二電極電性絕緣，以及

所述支撐元件被布置在所述第一連接電極至所述第三連接電極的外圍部分，

其中所述第一連接電極至所述第三連接電極的底面暴露于所述支撐元件的底面，

其中所述支撐元件的底面的寬度等于所述襯底的頂面的寬度，

其中所述第一連接電極至所述第三連接電極中的至少一個(gè)包括彼此間隔的多個(gè)連接電極，

其中所述支撐元件的底面在相同的平面上與所述第一連接電極至所述第三連接電極的底面對齊，

其中所述支撐元件包括添加有陶瓷材料的樹脂材料，并且所述支撐元件的側(cè)面在相同的平面上與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面對齊，

其中所述支撐元件在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下方不向外突出于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面，其中所述支撐元件的整個(gè)頂面低于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，

其中所述支撐元件的厚度厚于所述襯底的厚度，

其中所述支撐元件與所述第一連接電極至所述第三連接電極的外圍部分和所述第一電極至所述第三電極的外圍部分接觸，

其中所述第一電極和所述第一連接電極布置在所述支撐元件的第一區(qū)域中，

其中所述第三電極和所述第三連接電極布置在所述支撐元件的第二區(qū)域中，

其中所述支撐元件的厚度厚于所述第一連接電極至所述第三連接電極的厚度，

其中所述絕緣層具有分布式布拉格反射DBR結(jié)構(gòu)，在該DBR結(jié)構(gòu)中交替疊置有折射率互不相同的第一和第二層，并且

其中所述絕緣層暴露于所述發(fā)光器件的側(cè)面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層由不同于所述支撐元件的材料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一連接電極至所述第三連接電極的厚度厚于所述第一電極至所述第三電極的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接電極至所述第三連接電極在所述支撐元件中沿至少兩排對齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個(gè)所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件的底面與所述襯底的頂面平行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個(gè)所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接電極與所述第三連接電極的距離是相對于所述支撐元件一個(gè)側(cè)面的長度的1/2或更大，并且

其中所述第一連接電極和所述第三連接電極關(guān)于所述支撐元件的中心而彼此相對。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的面積是基于所述有源層的面積的50％或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個(gè)所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件的底面的寬度等于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂面沿水平方向的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件的所述第一連接電極至所述第三連接電極以及所述支撐元件的底面以相同的間距與模塊襯底的頂面間隔開。