[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210593034.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103021945A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖燕平;董杰;郝昭慧;張振宇;邵喜斌 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/77 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上沉積柵金屬層,形成由所述柵金屬層組成的柵掃描線(xiàn)和短路連接線(xiàn),所述短路連接線(xiàn)與所述柵掃描線(xiàn)之間的連接為斷開(kāi)的;
在形成柵絕緣層之后,在對(duì)應(yīng)所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的位置形成過(guò)孔;
沉積導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層通過(guò)所述過(guò)孔連接所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述在基板上沉積柵金屬層之前還包括:
在基板沉積第一透明導(dǎo)電層,形成由所述第一透明導(dǎo)電層組成的用以連接所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的連接結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述連接結(jié)構(gòu)呈方波形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述在形成柵絕緣層之后,在對(duì)應(yīng)所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的位置形成過(guò)孔,沉積導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層通過(guò)所述過(guò)孔連接所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)包括:
在基板上沉積數(shù)據(jù)金屬層之前,在對(duì)應(yīng)所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的位置形成過(guò)孔;
在形成有所述過(guò)孔的基板上沉積數(shù)據(jù)金屬層,所述數(shù)據(jù)金屬層通過(guò)所述過(guò)孔連接所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述在形成柵絕緣層之后,在對(duì)應(yīng)所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的位置形成過(guò)孔,沉積導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層通過(guò)所述過(guò)孔連接所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)包括:
在基板上形成鈍化層之后,在對(duì)應(yīng)所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的位置形成過(guò)孔;
在形成有所述過(guò)孔的基板上沉積第二透明導(dǎo)電層,所述第二透明導(dǎo)電層通過(guò)所述過(guò)孔連接所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)。
6.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
由柵金屬層形成的柵掃描線(xiàn)和短路連接線(xiàn),其中,對(duì)應(yīng)所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的位置形成有過(guò)孔,所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)通過(guò)所述過(guò)孔上沉積的導(dǎo)電層連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括由第一透明導(dǎo)電層組成的用以連接所述短路連接線(xiàn)和所述柵掃描線(xiàn)的連接結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述連接結(jié)構(gòu)呈方波形。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述過(guò)孔貫穿陣列基板的柵絕緣層,所述導(dǎo)電層為用以形成源電極和漏電極的數(shù)據(jù)金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述過(guò)孔貫穿陣列基板的柵絕緣層和鈍化層,所述導(dǎo)電層為用以形成像素電極的第二透明導(dǎo)電層。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求6-10中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
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