[發(fā)明專利]半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置及其測試方法與應(yīng)用

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210592708.1
• 申請(qǐng)日: 2012-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN103076550A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷資;張邵華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，用于測量待測二極管的雪崩耐量，所述半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置包括：可控直流電源、電感、電流感應(yīng)元件、電壓感應(yīng)元件、控制信號(hào)輸入端以及可控開關(guān)型功率器件，所述可控開關(guān)型功率器件具有第一極、第二極和第三極，所述第一極通過控制信號(hào)控制所述第二極和所述第三極之間的通斷，所述第二極和所述第三極之間導(dǎo)通時(shí)，電流由所述第三極流向所述第二極；所述可控開關(guān)型功率器件的第一極通過第一節(jié)點(diǎn)接控制信號(hào)輸入端，所述可控直流電源的正極與電感的一端相連，電感的另一端通過第三節(jié)點(diǎn)與可控開關(guān)型功率器件的第三極相連，所述可控直流電源的負(fù)極與低電位相連，并且可控直流電源的負(fù)極通過第二節(jié)點(diǎn)連接到可控開關(guān)型功率器件的第二極，所述電壓感應(yīng)元件用于感應(yīng)待測二極管的N極與P極之間的電壓，所述電流感應(yīng)元件用于感應(yīng)所述第二節(jié)點(diǎn)與第三節(jié)點(diǎn)之間的電流。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，其特征在于，所述可控開關(guān)型功率器件為三極管、晶體管或晶閘管。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，其特征在于，所述晶體管為雙極性晶體管、場效應(yīng)晶體管、電力晶體管或絕緣柵雙極型晶體管。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，其特征在于，所述晶閘管為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、溫控晶閘管或光控晶閘管。

5.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，其特征在于，所述電壓感應(yīng)元件與所述可控開關(guān)型功率器件的第三極相連。

6.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，其特征在于，所述電流感應(yīng)元件位于所述可控開關(guān)型功率器件的第二極和所述低電位之間。

7.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，其特征在于，所述可控開關(guān)型功率器件的電流規(guī)格和電壓規(guī)格均高于所述待測二極管的電流規(guī)格和電壓規(guī)格。

8.如權(quán)利要求1-4所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，其特征在于，測量待測二極管的雪崩耐量時(shí)，所述待測二極管的N極與可控開關(guān)型功率器件的第三極相連，所述待測二極管的P極與可控開關(guān)型功率器件的第二極相連。

9.一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置的測試方法，包括：

提供如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置，將待測二極管的N級(jí)接可控開關(guān)型功率器件的第三極，待測二極管的P級(jí)接可控開關(guān)型功率器件的第二極；

控制信號(hào)有效時(shí)，對(duì)所述電感進(jìn)行充電儲(chǔ)能；

控制信號(hào)無效時(shí)，所述電感放電，對(duì)待測二極管施加雪崩電壓，使待測半導(dǎo)體二極管進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)，以測量所述待測二極管的雪崩耐量。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置的測試方法，其特征在于，

I_AS為控制信號(hào)有效時(shí)所述第三節(jié)點(diǎn)到第二節(jié)點(diǎn)之間的峰值電流，L為電感，BV_DSS為待測二極管進(jìn)入雪崩狀態(tài)時(shí)兩端的電壓，V_DD為可控直流電源的輸出電壓。

11.一種如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置的應(yīng)用，其特征在于，所述半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置用于測量待測二極管的單脈沖雪崩耐量。

12.一種如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置的應(yīng)用，其特征在于，所述半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試裝置用于測量待測二極管的重復(fù)脈沖雪崩耐量。