[發明專利]利用環境條件控制的能量協助磁記錄頭及其系統

有效

• 申請號: 201210592667.6
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103187071B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 威廉·D·瓊斯;大衛·L·惠特克;田河育也;城石芳博
• 申請（專利權）人: HGST荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種磁記錄系統，包括：

磁介質；

磁頭，所述磁頭包括：

寫入元件，所述寫入元件被配置成在所述磁介質上記錄數據；

微波協助磁記錄MAMR元件，所述MAMR元件被配置成協助在所述磁介質上記錄，所述MAMR元件包括微波生成部，所述微波生成部接收用于其操作的電流；和

讀取元件，所述讀取元件被配置成從所述磁介質讀取數據；

第一裝置，所述第一裝置被配置成測量與所述MAMR元件和所述磁介質相關的環境條件，所述環境條件至少包括：溫度、所述讀取元件的再生信號以及所述MAMR元件和所述磁介質之間的間隙；和

控制器，所述控制器被配置成基于所述第一裝置提供的所述環境條件來控制所述磁頭的操作和調整所述系統的操作參數，并且所述控制器還被配置成，較之對處于相對較高操作溫度的MAMR元件提供的電流的量，增加對處于較低操作溫度的MAMR元件提供的電流的量。

2.根據權利要求1所述的系統，其中所述控制器包括：

被配置成調整所述MAMR元件和所述磁介質之間間隙的邏輯部分；

讀取/寫入集成電路；和

信號處理通道集成電路。

3.根據權利要求1所述的系統，其中所述控制器還被配置成基于所述環境條件來控制所述微波生成部的注入電流。

4.根據權利要求1所述的系統，其中所述控制器還被配置成基于所述環境條件來控制所述微波生成部的位置，以調整所述微波生成部和所述磁介質之間的間隙。

5.根據權利要求1所述的系統，其中，較之提供給處于較高操作溫度的所述微波生成部的電流，所述控制器增加向處于較低操作溫度的所述MAMR元件的微波生成部提供的電流。

6.根據權利要求5所述的系統，其中所述較低操作溫度是小于約20℃的任何溫度。

7.根據權利要求1所述的系統，其中所述第一裝置被配置成測量所述系統的重寫性能。

8.一種磁記錄系統，包括：

第一裝置，所述第一裝置被配置成測量與磁頭的微波協助磁記錄MAMR元件和磁介質相關的環境條件，其中所述MAMR元件被配置成協助使用所述磁頭的寫入元件在所述磁介質上記錄，并且其中所述MAMR元件包括微波生成部，所述微波生成部接收用于其操作的電流；和

第二裝置，所述第二裝置被配置成基于所述第一裝置提供的所述環境條件來控制所述磁頭的操作并且調整所述磁頭的操作參數，并且所述第二裝置還被配置成通過向熱飛高控制TFC元件提供電流以調整所述微波生成部和所述磁介質之間的間隙，并且基于由所述第一裝置測量的所述環境條件至少同時地控制寫入電流、向所述MAMR元件提供的電流和向所述TFC元件提供的電流。

9.根據權利要求8所述的系統，其中所述第二裝置包括：

讀取/寫入集成電路；和

信號處理通道集成電路。

10.根據權利要求8所述的系統，其中所述第二裝置還被配置成基于所述環境條件來控制所述微波生成部的注入電流。

11.根據權利要求8所述的系統，其中所述第二裝置還被配置成基于所述環境條件控制所述微波生成部的位置，以調整所述微波生成部和所述磁介質之間的間隙。

12.根據權利要求8所述的系統，其中由所述第一裝置測量的所述環境條件包括溫度。

13.根據權利要求8所述的系統，其中，較之提供給處于較高操作溫度的所述微波生成部的電流，所述第二裝置增加向處于較低操作溫度的所述微波生成部提供的電流。

14.根據權利要求13所述的系統，其中所述較低操作溫度是小于約20℃的任何溫度。

15.根據權利要求8所述的系統，其中所述第一裝置還被配置成測量讀取元件的再生信號，所述再生信號包括所述系統的重寫性能。

16.根據權利要求8所述的系統，其中所述第一裝置還被配置成測量所述微波生成部和所述磁介質之間的間隙。

17.根據權利要求8所述的系統，其中所述環境條件至少包括：溫度、讀取元件的再生信號以及所述MAMR元件和所述磁介質之間的間隙。