[發(fā)明專(zhuān)利]一種LED外延片及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210592504.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103915534B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳飛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/04
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/04;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201
• 代理人: 張大威

1.一種LED外延片的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，并在所述襯底之上形成緩沖層；

在所述緩沖層之上形成第一摻雜類(lèi)型的半導(dǎo)體材料層；

在所述第一摻雜類(lèi)型的半導(dǎo)體材料層之上形成量子阱結(jié)構(gòu)；

在所述量子阱結(jié)構(gòu)之上形成電子阻擋層，其中，包括：

在所述量子阱結(jié)構(gòu)上形成第一Al_xGa_1-xN層，在形成第一Al_xGa_1-xN層過(guò)程中，Al的組分x從第一組分值漸變至第二組分值，且所述第二組分值大于所述第一組分值，

在所述第一Al_xGa_1-xN層上形成第二Al_xGa_1-xN層，在形成第二Al_xGa_1-xN層過(guò)程中，Al的組分x為定值，并且所述Al的組分x等于所述第二組分值，其中，第二Al_xGa_1-xN層Al的組分x為0.1-0.25；以及

在所述電子阻擋層之上形成第二摻雜類(lèi)型的半導(dǎo)體材料層。

2.如權(quán)利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，所述Al的組分x的第一組分值為0.05，第二組分值為0.12。

3.如權(quán)利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，形成所述量子阱結(jié)構(gòu)的過(guò)程是以N₂氣為載氣。

4.如權(quán)利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，在形成所述緩沖層之后，還包括：

在所述緩沖層之上形成非摻雜的半導(dǎo)體材料層。

5.如權(quán)利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，其中，所述電子阻擋層的形成溫度為800-900℃，壓力為100-200mbar。

6.一種LED外延片，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底之上的緩沖層；

形成在所述緩沖層之上的第一摻雜類(lèi)型的半導(dǎo)體材料層；

形成在所述第一摻雜類(lèi)型的半導(dǎo)體材料層之上的量子阱結(jié)構(gòu)；

形成在所述量子阱結(jié)構(gòu)之上的電子阻擋層；以及

形成在所述電子阻擋層之上的第二摻雜類(lèi)型的半導(dǎo)體材料層，

其中，所述電子阻擋層包括第一Al_xGa_1-xN層和第二Al_xGa_1-xN層，所述第一Al_xGa_1-xN層中Al的組分x從第一組分值漸變至第二組分值，所述第一Al_xGa_1-xN層中與所述量子阱結(jié)構(gòu)接觸的部分x為第一組分值，所述第一Al_xGa_1-xN層中與第二Al_xGa_1-xN層接觸的部分x為第二組分值，且所述第二組分值大于所述第一組分值，所述第二Al_xGa_1-xN層中Al的組分x為定值，并且所述Al的組分x等于所述第二組分值，其中，第二Al_xGa_1-xN層Al的組分x為0.1-0.25。

7.如權(quán)利要求6所述的LED外延片，其特征在于，所述Al的組分x的第一組分值為0.05，第二組分值為0.12。

8.如權(quán)利要求6所述的LED外延片，其特征在于，形成所述量子阱結(jié)構(gòu)是以N₂氣為載氣形成的。

9.如權(quán)利要求6所述的LED外延片，其特征在于，在形成所述緩沖層之后，還包括：

在所述緩沖層之上形成非摻雜的半導(dǎo)體材料層。

10.如權(quán)利要求6所述的LED外延片，其特征在于，其中，所述電子阻擋層的形成溫度為800-900℃，壓力為100-200mbar。