[發明專利]級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路有效
| 申請號： | 201210592369.7 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103051291A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 李凌云;葉禹;孫曉瑋 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 匹配 可調 cmos 寬帶 低噪聲放大器 電路 | ||
1.一種級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，所述級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路至少包括：
信號接入電路，其基于連接第一MOS管的負反饋電路來實現對超寬帶輸入信號的匹配；
與所述信號接入電路共同構成第一級放大電路的信號抽取電路，其基于連接所述第一MOS管與第二MOS管的高頻匹配電路、及連接第二MOS管的低頻匹配電路來將所述信號接入電路輸出的信號抽取至所述第二MOS管；
連接所述信號抽取電路的級間匹配電路，其基于可變電容來耦合所述信號抽取電路輸出的信號；
連接所述級間匹配電路的第二級放大電路，其基于共源共柵電路來放大所述級間匹配電路輸出的信號。
2.根據權利要求1所述的級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于：所述負反饋電路包括由電阻與電容構成的第一并聯負反饋電路。
3.根據權利要求1或2所述的級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于：所述負反饋電路包括連接所述第一MOS管的源極串聯負反饋電路。
4.根據權利要求1所述的級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于：所述第一MOS管與所述第二MOS管連接成共源共柵管對。
5.根據權利要求1或4所述的級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于：所述高頻匹配電路包括連接所述第一MOS管漏端的電容及一端連接電容、另一端連接所述第二MOS管柵端的電感。
6.根據權利要求1或4所述的級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于：所述低頻匹配電路包括連接在所述第一MOS管漏端與所述第二MOS管源端之間的電感以及連接在所述第二MOS管源端與地之間的電容。
7.根據權利要求1所述的級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于：所述級間匹配電路包括可調電容及電阻構成的電路。
8.根據權利要求1所述的級間匹配可調的CMOS超寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于：所述第二級放大電路包括第二并聯電阻負反饋電路。
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