[發明專利]一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn 結納米棒陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201210592304.2 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103066154A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 王春瑞;劉旭;徐靖;張瑤;陳效雙;趙旭熠;莫志偉 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zno cds cu sub znsns pn 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4?pn結納米棒陣列的制備方法，包括：
（1）將玻璃襯底浸入Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液30~60s，取出后沖洗，退火，自然冷卻至室溫，重復以上操作，得覆蓋有ZnO種子層的基底；
（2）將Zn(NO3)2·6H2O的水溶液和六次甲基四胺HMTA的水溶液按體積比1:1混合，然后轉入放有ZnO種子層基底的反應釜中，進行水熱反應，得到ZnO納米棒陣列，退火，自然冷卻至室溫；
（3）將ZnO納米棒陣列首先浸入到硝酸鎘的乙醇溶液2~4分鐘，取出后沖洗，再浸入硫化鈉的甲醇溶液2~4分鐘，取出后沖洗，以上操作為一個循環，重復此循環，退火，自然冷卻至室溫，得到ZnO/CdS芯/鞘納米棒陣列；
（4）將ZnO/CdS芯/鞘納米棒陣列浸入溶有Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O以及硫脲的無水二甲亞砜溶液，5~10min后將ZnO/CdS芯/鞘納米棒陣列取出，退火，自然冷卻至室溫，即得ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4pn結納米棒陣列，其中Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O、硫脲的摩爾比為2:1:1:8~10。
2.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中玻璃襯底為1cmx1cmx0.1cm普通載玻片。
3.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液濃度為0.005mol/L。
4.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4?pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中Zn(NO3)2·6H2O的水溶液的濃度為0.025mol/L，六次甲基四胺HMTA的水溶液的濃度為0.025mol/L。
5.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4?pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中水熱反應溫度為80~100℃，反應時間為12~20h。
6.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4?pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）和（2）中的退火溫度為400-420°C，退火時間為20min，退火氛圍為空氣。
7.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4?pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中硝酸鎘的乙醇溶液濃度為0.1mol/L，硫化鈉的甲醇溶液的濃度為0.1mol/L。
8.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4?pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）和（4）中退火溫度為400-420°C，退火時間為20min，退火氛圍為氮氣。
9.根據權利要求1所述的一種ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4?pn結納米棒陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）中Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O、硫脲的濃度分別為0.005mol/L、0.0025mol/L、0.0025mol/L、0.02~0.025mol/L。
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