[發明專利]一種晶體管、晶體管的散熱結構以及晶體管的生產方法

有效

• 申請號: 201210592156.4
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103887339B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 王大朋;趙志勇;曾武;穆學祿;宗柏青;崔亦軍
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/38;H01L21/336
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;龍洪

1.一種晶體管，包括：半導體生長基底和半導體熱電效應裝置，所述半導體熱電效應裝置包含半導體化合物層(2)、金屬層(3)、導熱層(4)、熱電偶導熱裝置和散熱層(9)，所述半導體化合物層(2)生長在所述半導體生長基底上，所述金屬層(3)生長在所述半導體化合物層(2)上，所述導熱層(4)生長在所述金屬層(3)上，所述熱電偶導熱裝置生長在所述導熱層(4)上，所述散熱層(9)生長在與所述導熱層(4)相對的所述熱電偶導熱裝置的另一面上，所述熱電偶導熱裝置還包含供電臂(5)，所述供電臂(5)生長在所述導熱層(4)上，與N型熱電偶和P型熱電偶電連接；

所述熱電偶導熱裝置包含成組的N型熱電偶和P型熱電偶，在所述金屬層(3)上設置有多條依次排列的溝道(11)，所述溝道(11)的開口位于所述金屬層(3)和所述半導體化合物層(2)結合面的相對面，所述導熱層(4)生長于所述溝道(11)的底部，所述導熱層(4)上沿所述溝道(11)生長多組所述N型熱電偶和P型熱電偶，每組中的N型熱電偶和P型熱電偶電連接，相鄰組中的N型熱電偶與P型熱電偶電連接，形成N型熱電偶→P型熱電偶→N型熱電偶的通路，所述供電臂(5)分別與每個所述溝道(11)一端的N型熱電偶以及每個所述溝道(11)另一端的P型熱電偶電連接。

2.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述熱電偶導熱裝置還包括第一供電電極(6)和第二供電電極(8)，所述第一供電電極(6)生長在所述溝道(11)中的導熱層(4)上相鄰組的N型熱電偶與P型熱電偶頂部及之間的位置上，電連接相鄰組中的N型熱電偶與P型熱電偶；所述第二供電電極(8)生長在每組的N型熱電偶與P型熱電偶底部及之間的位置上，電連接每組中的N型熱電偶和P型熱電偶。

3.如權利要求1至2任一項所述晶體管，其特征在于，所述熱電偶導熱裝置還包括溫度檢測點(10)，所述溫度檢測點(10)生長在所述金屬層(3)上的所述導熱層(4)上。

4.一種晶體管及散熱結構，包括：印刷電路板、散熱齒基板和晶體管，所述印刷電路板貼裝在所述散熱齒基板上，所述晶體管與所述印刷電路板連接，所述晶體管包括半導體生長基底和半導體熱電效應裝置，所述半導體熱電效應裝置包含半導體化合物層(2)、金屬層(3)、導熱層(4)熱電偶導熱裝置和散熱層(9)，所述半導體化合物層(2)生長在所述半導體生長基底上，所述金屬層(3)生長在所述半導體化合物層(2)上，所述導熱層(4)生長在所述金屬層(3)上，所述熱電偶導熱裝置生長在所述導熱層(4)上，所述散熱層(9)生長在與所述導熱層(4)相對的所述熱電偶導熱裝置的另一面上，所述晶體管的金屬層(3)與所述散熱齒基板上的散熱齒焊接，所述散熱層(9)與所述散熱齒接觸，所述熱電偶導熱裝置還包含供電臂(5)，所述供電臂(5)生長在所述導熱層(4)上，與N型熱電偶和P型熱電偶電連接；

所述熱電偶導熱裝置包含成組的N型熱電偶和P型熱電偶，在所述金屬層(3)上設置有多條依次排列的溝道(11)，所述溝道(11)的開口位于所述金屬層(3)和所述半導體化合物層(2)結合面的相對面，所述導熱層(4)生長于所述溝道(11)的底部，所述導熱層(4)上沿所述溝道(11)生長多組所述N型熱電偶和P型熱電偶，每組中的N型熱電偶和P型熱電偶電連接，相鄰組中的N型熱電偶與P型熱電偶電連接，形成N型熱電偶→P型熱電偶→N型熱電偶的通路，所述供電臂(5)分別與每個溝道(11)一端的N型熱電偶以及每個溝道(11)另一端的P型熱電偶電連接。

5.如權利要求4所述的晶體管及散熱結構，其特征在于，所述熱電偶導熱裝置還包括第一供電電極(6)和第二供電電極(8)，所述第一供電電極(6)生長在所述溝道(11)中的導熱層(4)上相鄰組的N型熱電偶與P型熱電偶頂部及之間的位置上，電連接相鄰組中的N型熱電偶與P型熱電偶；所述第二供電電極(8)生長在每組的N型熱電偶與P型熱電偶底部及之間的位置上，電連接每組中的N型熱電偶和P型熱電偶。