[發(fā)明專利]一種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷及兩步燒結(jié)制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210591594.9 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103910527A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳云翼;郜健 | 申請(專利權(quán))人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號: | C04B35/515 | 分類號: | C04B35/515;C04B35/64 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 劉茵 |
| 地址: | 100088 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 fese 超導(dǎo) 陶瓷 燒結(jié) 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及超導(dǎo)材料領(lǐng)域,具體涉及一種利用新型燒結(jié)工藝制備具有PbO形式結(jié)構(gòu)的β-FeSe超導(dǎo)陶瓷的方法。
背景技術(shù)
近年來,F(xiàn)e基超導(dǎo)材料的發(fā)現(xiàn)引發(fā)了超導(dǎo)界研究人士很大的興趣,希望從這種新的路徑去尋找高溫超導(dǎo)材料[H.Takahashi,K.Igawa,K.Arii,Y.Kamihara,M.Hirano,H.Hosono,Nature,453,376(2008);Y.Kamihara,T.Watanabe,M.Hirano,andH.Hosono,J.Am.Chem.Soc.,130,3296(2008);A.Subedi,L.Zhang,D.J.Singh,andM.H.Du,Phys.Rev.B,78,134514(2008);M.D.Norman,Physics,1,21(2008)]。在這種新型的Fe基的超導(dǎo)材料中,鐵硒(FeSe),由于其相對較低的制備溫度,以及與FeAs為基礎(chǔ)的超導(dǎo)復(fù)合材料相比很低的原材料毒性,引起了人們極大的關(guān)注并為此投入了大量的研究。FeSe(根據(jù)相圖[H.Okamoto,J.Phase?Equilib.12,383(1991)],在這里稱為β-FeSe)具有最簡單的晶格結(jié)構(gòu)(PbO形態(tài)),由FeSe4八面體層疊加組成[F.C.Hsu,J.Y.Luo,K.W.Yeh,T.K.Chen,T.W.Huang,P.M.Wu,Y.C.Lee,Y.L.Huang,Y.Y.Chu,D.C.Yan,and?M.K.Wu,PNAS,105,14262(2008)]。
常用的固態(tài)燒結(jié)的方法采取的是一步燒結(jié)的過程[Xiaoding?Qi,Jiun-Yi?Wang,Chi-Jung?Hung,and?Jui-Chao?Kuo,Karen?Yates?and?Lesley?Cohen,Journal?ofAmerican?ceramic?society,93,3195(2010)]。對于FeSe來說,一步燒結(jié)方法制備的陶瓷雜相相對含量較大,而且由于Se的揮發(fā),制備的陶瓷本身致密性不高,孔洞較多。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的上述問題,本發(fā)明提供一種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷兩步燒結(jié)制備方法,該方法制得的陶瓷為隨機(jī)取向,陶瓷致密,表面光滑,與采用常規(guī)一步燒結(jié)方法制得陶瓷相比,具有更高的體密度和更好的超導(dǎo)特性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,辦發(fā)明包括如下技術(shù)方案:
一種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷兩步燒結(jié)制備方法,方法包括以下步驟:
A.預(yù)燒:稱取Fe粉和Se粉,其中Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量5-15mol%,將兩種原料混合、研磨、壓片,制成樣品塊體;將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空;將放有樣品塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒,預(yù)燒的溫度為300-400℃,時(shí)間為2-5小時(shí),升溫的速度為每小時(shí)30-80℃;
B.第一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎,再次進(jìn)行研磨、壓片;同樣將塊體放入石英管,封管并抽真空;隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行第一步燒結(jié),溫度為410-700℃,時(shí)間為10-20小時(shí);
C.第二步燒結(jié):將第一次燒結(jié)完的塊體,搗碎,再次進(jìn)行研磨、壓片;將塊體放入石英管,封管并抽真空;隨后將放有塊體的高真空石英管放入管式爐進(jìn)行第二步燒結(jié),溫度為700-800℃,時(shí)間為20-40小時(shí)。
如上所述的方法,優(yōu)選地,所述步驟A中Fe粉和Se粉的純度分別為95-98%和98-99%;研磨后混合粉體的粒度為0.2-0.4mm;壓片步驟是在20-40MP下進(jìn)行。
如上所述的方法,優(yōu)選地,所述步驟A中石英管中真空度為5×10-4~5×10-5P。
如上所述的方法,優(yōu)選地,所述步驟B中壓片采用等靜壓設(shè)備,在30~50MP下進(jìn)行。
如上所述的方法,優(yōu)選地,所述步驟B中第一步燒結(jié)的升溫過程中,室溫至300℃升溫速度為每分鐘1-2℃,300℃以上升溫速度為每分鐘5-10;降溫過程中400℃以上降溫速度為每分鐘一度,400℃以下自然降溫。
如上所述的方法,優(yōu)選地,所述步驟C中第二步燒結(jié)的升溫過程中,室溫至300℃升溫速度為每分鐘1-2℃,300℃以上升溫速度為每分鐘5-10;降溫過程中400℃以上降溫速度為每分鐘一度,400℃以下自然降溫。
如上所述的方法,優(yōu)選地,所述方法包括如下步驟:
a.準(zhǔn)備原料:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京有色金屬研究總院,未經(jīng)北京有色金屬研究總院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210591594.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種圓形截面NbTi/YBCO復(fù)合超導(dǎo)線
- 基于ReBCO涂層超導(dǎo)體和NbTi低溫超導(dǎo)體的圓截面復(fù)合超導(dǎo)線
- 用于磁共振超導(dǎo)磁體的超導(dǎo)接頭及其制造方法
- 超導(dǎo)磁懸浮支承裝置
- 一種超導(dǎo)儲(chǔ)能裝置及其控制方法
- 超導(dǎo)磁體超導(dǎo)接頭結(jié)構(gòu)及相關(guān)布置結(jié)構(gòu)
- 超導(dǎo)接頭、超導(dǎo)磁體系統(tǒng)及超導(dǎo)接頭制備方法
- 一種極高場核磁共振超導(dǎo)磁體
- 一種超導(dǎo)限流線圈和一種超導(dǎo)限流器
- 一種超導(dǎo)直流電纜建模方法及系統(tǒng)
- 一種激光燒結(jié)設(shè)備及燒結(jié)方法
- 一種激光燒結(jié)設(shè)備
- 一種帶有小燒結(jié)口的燒結(jié)烘箱
- 一種LED燈的銀膠燒結(jié)烘箱
- 一種帶有小燒結(jié)口的燒結(jié)烘箱
- 一種基于材料基因的燒結(jié)礦燒結(jié)模型確定方法和系統(tǒng)
- 一種利用燒結(jié)杯進(jìn)行鐵礦粉燒結(jié)實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)方法
- 一種鋰電池三元單晶正極材料燒結(jié)容器
- 一種制備燒結(jié)陶瓷透水磚用燒結(jié)窯爐
- 一種燒結(jié)煙氣循環(huán)方法以及燒結(jié)煙氣循環(huán)系統(tǒng)





