[發(fā)明專利]一種高增益高功率的毫米波功率放大器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210591483.8 | 申請日: | 2012-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103095230A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李連鳴;崔鐵軍;陳林輝 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H03F3/20 | 分類號: | H03F3/20;H03F3/45 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 211189 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 增益 功率 毫米波 功率放大器 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種功率放大器,具體涉及一種亞微米CMOS工藝高增益高功率的毫米波功率放大器。但需要說明的是,該發(fā)明所涉及的功率放大器可在其他工藝中實現(xiàn)。?
背景技術
目前,由于CMOS工藝的功率放大器具有集成度高,易與基帶結合的特點受到越來越多的重視。但是CMOS工藝的功率放大器具有幾大挑戰(zhàn)。?
首先是在高頻,米勒電容的存在影響了晶體管的穩(wěn)定性。為了使晶體管滿足穩(wěn)定條件,現(xiàn)有的技術一般是采用:a)阻容反饋電路;b)輸入串聯(lián)電阻或者并聯(lián)電阻。但是這兩種技術的缺陷是會降低晶體管的最大可用功率增益。?
其次是有限的擊穿電壓。CMOS工藝的擊穿電壓通常較低,因此要輸出足夠大的功率,需要采用合適的功率合成的方法。現(xiàn)有的片內(nèi)功率合成技術通常是采用:a)電流疊加功率合成技術;b)wilkinson功率合成。第一方案的缺陷是晶體管的尺寸會很大,導致輸入輸出的阻抗很低,匹配困難;第二種技術的缺陷是功率合成電路會非常大,增加了成本。?
再次是毫米波段的匹配網(wǎng)絡,現(xiàn)有的技術有:a)微帶線匹配;b)傳輸線和變壓器結合。第一種方案的缺陷是損耗大和面積大;第二種方案能夠降低面積,可是損耗仍然很大。?
發(fā)明內(nèi)容
技術問題:針對現(xiàn)有技術存在的不足,本發(fā)明目的是提供一種高增益高功率的毫米波功率放大器。?
技術方案:為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的高增益高功率的毫米波功率放大器,包括輸入功率分配器、四路三級偽差分共源放大器、級間匹配網(wǎng)絡和輸出功率合成器,其連接關系如下:?
輸入功率分配器的輸入端連接信號源或功率源,輸入功率分配器的輸出端連接第?一級偽差分共源放大器的輸入端,第一級偽差分共源放大器的輸出端接第一級級間匹配網(wǎng)絡的輸入端,第一級級間匹配網(wǎng)絡的輸出端接第二級偽差分共源放大器的輸入端,第二級偽差分共源放大器的輸出端接第二級級間匹配網(wǎng)絡的輸入,第二級級間匹配網(wǎng)絡的輸出端接第三級偽差分共源放大器的輸入,第三級偽差分共源放大器的輸出端接輸出功率合成器的輸入端,輸出功率合成器的輸出端接負載。?
所述輸入功率分配器為二端口輸入,輸入信號是差分信號或是單端信號,輸出為四端口,為兩路差分信號或是單端信號。?
所述第一級偽差分共源放大器、第二級偽差分共源放大器、第三級偽差分共源放大器的結構一樣,每一個偽差分共源放大器分別包括第一晶體管M1、第二晶體管M2、第一電容C1、第二電容C2,所述第一晶體管M1和第二晶體管M2的源極連接在一起,所述第一電容C1跨接在第二晶體管M2的柵極和第一晶體管M1的漏極,第二電容C2跨接在第一晶體管M1的柵極和第二晶體管M2的漏極,信號從第一晶體管M1和第二晶體管M2的柵極輸入,從第一晶體管M1和第二晶體管M2的漏極輸出。?
所述第一晶體管M1和第二晶體管M2的參數(shù)一樣,所述第一電容C1、第二電容C2的容值一樣。?
所述第一級級間匹配網(wǎng)絡、第二級級間匹配網(wǎng)絡的結構一樣,每一個級間匹配網(wǎng)絡分別包括第一傳輸線TL1、第二傳輸線TL2、第三傳輸線TL3、變壓器T0和電感L0;第一傳輸線TL1首先連接到電感L0,然后串接第二傳輸線TL2,再接變壓器T0,最后接第三傳輸線TL3;第一傳輸線TL1所在端口為輸出端口,第三傳輸線TL3所在端口為輸入端口。?
所述輸出功率合成器輸入為四端口,接兩路差分信號或單端信號;輸出為二端口,為單端或者差分輸出。?
有益效果:相比于現(xiàn)有技術,本發(fā)明的優(yōu)點有:?
1.輸出功率大。由于本發(fā)明采用變壓器實現(xiàn)四路功率合成,相比于單路功率放大器,輸出功率能夠增加約6dB。?
2.功率增益高。由于本發(fā)明采用電容中和技術,引入電容C1和C2,能夠提高差分放大器的功率增益;同時由于本發(fā)明在匹配網(wǎng)絡中加入并聯(lián)電感L0,能夠極大地降低級間匹配網(wǎng)絡的損耗。?
3.電路穩(wěn)定性高,隔離度好。由于本發(fā)明采用電容中和技術,引入電容C1和C2,能夠有效的克服米勒效應帶來的不穩(wěn)定的問題。?
4.電路面積小,易于集成。由于本發(fā)明采用多處使用變壓器結構實現(xiàn)功率分配、功率合成和級間匹配,相比于傳統(tǒng)的微波放大器,面積能夠極大的縮小。?
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式來詳細說明本發(fā)明;?
圖1為本發(fā)明的電路框圖;?
圖2為本發(fā)明的級間匹配網(wǎng)絡的電路原理圖;?
圖3為本發(fā)明的偽差分共源放大器的電路原理圖;?
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