[發明專利]一種寬溫環境下中紅外光信號強度的測量方法

無效

• 申請號: 201210591083.7
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103076088A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 馮剛;楊鵬翎;王振寶;陳紹武;邵碧波;馮國斌;王平;宇文璀蕾
• 申請（專利權）人: 西北核技術研究所
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 王少文

1.一種寬溫環境下中紅外光信號強度的測量方法，其特征在于，包括以下步驟：

【1】搭建中紅外光信號強度的測量裝置，所述的測量裝置包括中紅外光導探測器（3）、驅動電路和信號采集記錄儀；

所述的驅動電路包括儀表放大器單元和恒流源單元，恒流源單元由測量臂和配平臂組成，測量臂包括恒流源（2），恒流源的正端接偏置電壓源（1），負端同時與中紅外光導探測器（3）的一端和儀表放大器（6）的反向輸入端相連，中紅外光導探測器（3）的另一端接地；配平臂包括偏置電阻（4）和配平電阻（5），偏置電阻（4）一端接偏置電壓源（1），另一端同時與配平電阻（5）的一端和儀表放大器（6）的正向輸入端相連，配平電阻（5）的另一端接地；

所述的信號記錄儀與儀表放大器（6）的輸出端聯接；

【2】測量得到中紅外光導探測器（3）在工作溫度范圍內的暗電阻值R_t和響應率值S_t；

【3】確定偏置電阻R₁的阻值、配平電阻R₂的阻值和儀表放大器的放大倍數G：

R1=Vbias/I1G=Vbk_max-Vbk_minID(Rt_min-Rt_max)R2=VbiasIDR1(Vbk_max-Vbk_min)Vbk_maxRt_min-Vbk_minRt_max]]>

其中：

G為儀表放大器的放大倍數；

I_D為恒流源輸出電流，即探測器工作電流；

V_bias為偏置電壓；

V_{bk_max}為驅動電路輸出最高本底電壓值；

V_{bk_min}為驅動電路輸出最低本底電壓值；

R₁為配平臂上的偏置電阻；

R₂為配平電阻；

R_{t_max}為工作溫度上限時探測器的暗電阻值；

R_{t_min}為工作溫度下限時探測器的暗電阻值；

I₁為配平臂上工作電流；

【4】根據步驟【3】的結果搭建驅動電路，并采用測量裝置測量中紅外光束，同時監測探測器（3）的工作溫度；

【5】根據信號采集記錄儀記錄的電壓信號及監測的工作溫度，計算得到中紅外光信號強度：

V_t=G·P·S_t

其中：

P為光強幅值；

V_t為在對應溫度t時的電壓信號幅值；

S_t為中紅外光導探測器在對應溫度t時的響應率。