[發(fā)明專利]一種低功耗SRAM型FPGA的設(shè)計方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210591022.0 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103066993A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉波;柏娜;陳愿 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H03K19/177 | 分類號： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功耗 sram fpga 設(shè)計 方法 | ||
1.一種低功耗SRAM型FPGA的設(shè)計方法，其特征是通過電平轉(zhuǎn)換器將FPGA的二維邏輯塊陣列的工作電壓最少降低至近閾值，二維邏輯塊陣列中的查找表LUT采用施密特觸發(fā)型的SRAM，可編程D觸發(fā)器采用亞閾值D鎖存器，查找表LUT和可編程D觸發(fā)器在所述降低的低電源電壓下工作，使得FPGA在超低電源電壓下正常工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗SRAM型FPGA的設(shè)計方法，其特征是降低二維邏輯塊陣列的邏輯單元的工作電壓，降低至亞閾值電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低功耗SRAM型FPGA的設(shè)計方法，其特征是所述施密特觸發(fā)型的SRAM由10個晶體管，一條字線WL還有兩條位線BL/BR組成，10個晶體管中，晶體管PL-NL1-NL2-NFL形成一個施密特觸發(fā)反相器，晶體管PR-NR1-NR2-NFR形成另外一個施密特觸發(fā)反相器，晶體管NFL和NFR分別作為兩個施密特觸發(fā)反相器的正反饋管，根據(jù)輸入轉(zhuǎn)換方向提高施密特觸發(fā)反相器的轉(zhuǎn)換電壓，晶體管AXL和AXR為兩個施密特觸發(fā)反相器連接字線和位線的傳輸管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低功耗SRAM型FPGA的設(shè)計方法，其特征是所述亞閾值D鎖存器為由七個反相器I1~I7和四個CMOS傳輸門T1~T4組成，所述CMOS傳輸門均由一個NMOS管和一個PMOS管組成，兩個晶體管的源極相連并作為傳輸門的輸入端，漏極相連并作為傳輸門的輸出端，所述輸入端和輸出端可以對調(diào)，兩個晶體管的柵極分別作為傳輸門的控制極。
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