[發(fā)明專利]基于基片集成波導(dǎo)技術(shù)的圓波導(dǎo)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210590785.3 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103066357A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳良;何璐;汪曉光;鄧龍江;付強;梁迪飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01P3/00 | 分類號： | H01P3/00 |
| 代理公司： | 成都惠迪專利事務(wù)所 51215 | 代理人： | 劉勛 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 集成 波導(dǎo) 技術(shù) | ||
1.基于基片集成波導(dǎo)技術(shù)的圓波導(dǎo)，包括介質(zhì)基板（1），其特征在于，在介質(zhì)基板（1）上按圓形垂直設(shè)置有一圈圓形通孔（2），所述圓形通孔內(nèi)壁覆銅，圓形通孔等距分布。
2.如權(quán)利要求1所述的基于基片集成波導(dǎo)技術(shù)的圓波導(dǎo)，其特征在于，相鄰兩個圓形通孔通過內(nèi)壁覆銅的方形通孔（3）連通，相鄰兩個圓形通孔的軸線與方形通孔的軸線垂直相交。
3.如權(quán)利要求2所述的基于基片集成波導(dǎo)技術(shù)的圓波導(dǎo)，其特征在于，至少有兩層在垂直方向上分布的方形通孔連通相鄰兩個圓形通孔，垂直方向相鄰的方形通孔的間距為λ/8；每一層方形通孔的軸線處于一個平行于介質(zhì)基板底面的平面上，每一個方形通孔的大小尺寸相同。
4.如權(quán)利要求3所述的基于基片集成波導(dǎo)技術(shù)的圓波導(dǎo)，其特征在于，方形通孔為4層，層間距相等。
5.如權(quán)利要求4所述的基于基片集成波導(dǎo)技術(shù)的圓波導(dǎo)，其特征在于，介質(zhì)基板厚度為15mm，介質(zhì)介電常數(shù)2.2，圓形通孔為60個，圓形通孔的軸線與圓波導(dǎo)的軸線距離為10mm，圓形通孔半徑0.45mm；方形通孔的層間距為3mm，方形通孔沿圓波導(dǎo)軸向的長度為0.2mm，沿圓波導(dǎo)徑向的長度為0.01mm。
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