[發(fā)明專利]CMOS場效應(yīng)管的閾值電壓生成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210590543.4 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103246312A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都銳成芯微科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G05F3/16 | 分類號： | G05F3/16 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cmos 場效應(yīng) 閾值 電壓 生成 電路 | ||
1.一種CMOS場效應(yīng)管閾值電壓生成電路，其特征在于：所述閾值電壓生成電路包括一第一P型鏡像電流鏡組、一第一N型場效應(yīng)管M1、一第二N型場效應(yīng)管M2、一第一電壓跟隨器AMP1、一第二電壓跟隨器AMP2、一第一電阻R1、一第二電阻R2、一第二P型鏡像電流鏡組、一第三P型鏡像電流鏡組、一N型鏡像電流鏡組和一第三電阻R3，所述第一N型場效應(yīng)管M1和第二N型場效應(yīng)管M2得到各自的柵源電壓，所述第一電壓跟隨器AMP1、所述第一電阻R1、所述第二電壓跟隨器AMP2和所述第二電阻R2將柵源電壓VGS1、VGS2轉(zhuǎn)化為兩路電流信號，所述第二P型鏡像電流鏡組、所述第三P型鏡像電流鏡組、所述N型鏡像電流鏡組和所述第三電阻R3組合兩路電流信號并生成高精度的閾值電壓。
2.如權(quán)利要求1中所述的閾值電壓生成電路，其特征在于：所述第一N型場效應(yīng)管M1的柵極與源極相連于所述第一P型鏡像電流鏡組，所述第二N型場效應(yīng)管M2的柵極與源極相連于所述第一P型鏡像電流鏡組；所述第一電壓跟隨器AMP1的vip輸入端與所述第一N型場效應(yīng)管M1的柵極相連，所述第一電壓跟隨器AMP1的vin輸入端與所述第一電壓跟隨器AMP1的out與所述第一電阻R1的一端與第二P型鏡像電流鏡組相連；所述第一電阻R1的另一端與地相連；所述第二電壓跟隨器AMP2的vip輸入端與所述第二N型場效應(yīng)管M2的柵極相連，所述第二電壓跟隨器AMP2的vin輸入端與所述第二電壓跟隨器AMP2的out與所述第二電阻R2的一端與第三P型鏡像電流鏡組相連；所述第二電阻R2的另一端與地相連；所述第二P型鏡像電流鏡組與所述第三P型鏡像電流鏡組與所述N型鏡像電流鏡組與所述第三電阻R3相連。
3.如權(quán)利要求2中所述的閾值電壓生成電路，其特征在于：所述第一P型鏡像電流鏡組包括一輸入端i0、一輸出端i1和一輸出端i2，所述輸出端i0為輸入電流源，所述輸入端i0、所述輸出端i1與所述輸出端i2的電流鏡像比為：i0:i1:i2=1:1:1。
4.如權(quán)利要求2中所述的閾值電壓生成電路，其特征在于：所述第二P型鏡像電流鏡組包括一輸入端i3和一輸出端i4，所述輸入端i3與所述輸出端i4的電流鏡像比為：i3:i4=1:2。
5.如權(quán)利要求2中所述的閾值電壓生成電路，其特征在于：所述第三P型鏡像電流鏡組包括一輸入端i5和一輸出端i6，所述輸入端i5與所述輸出端i6的電流鏡像比為：i5:i6=1:1。
6.如權(quán)利要求6中所述的閾值電壓生成電路，其特征在于：所述N型鏡像電流鏡組包括一輸入端i7和一輸出端i8，所述輸入端i7與所述輸出端i8的電流鏡像比為：i7:i8=1:1。
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