[發明專利]多路靜電釋放保護器件的加工方法

有效

• 申請號: 201210590494.4
• 申請日: 2012-12-30
• 公開（公告）號: CN103021894A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 黃冕
• 申請（專利權）人: 深圳中科系統集成技術有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 唐華明

技術領域

本發明涉及電子器件加工制造技術領域，具體涉及一種多路靜電釋放保護器件的加工方法。

背景技術

隨著集成電路工藝的不斷發展，晶體管尺寸已經縮減到亞微米甚至深亞微米階段。器件物理尺寸的減小，大大提高了電路的集成度，但是高集成度器件的可靠性問題也隨之而來。ESD（electro-static?discharge，靜電釋放）就是引起電子設備與元器件失效的最主要原因之一。這主要是因為，隨著元器件尺寸的縮小，例如場效應元件的柵極氧化層厚度逐漸變薄，這種變化雖然可以大幅度的提高電路的工作效率，但是卻可能使電路變得更加脆弱，從而在受到靜電沖擊時，電路很容易失效。

為了解決由于ESD而造成的電子設備和元器件的可靠性問題，業內考慮在集成電路中引入具有較高性能、較高耐受力的ESD保護器件（也可稱之為靜電阻抗器）。ESD保護器件一般配置在電路的信號線路與接地端之間，電路正常工作狀態下，ESD保護器件兩端被中間的介質層隔開，呈現出高阻狀態，信號不會通過ESD保護器件而流入接地端。當電路受到ESD影響時，例如人皮膚上的靜電施加在電路上時，電路中可能出現一個很大的電壓值，大電壓的產生使得ESD保護器件兩端出現大的電勢差，此時ESD保護器件被擊穿，由高阻狀態轉變為導通狀態，這樣就將靜電導入到接地端，進而避免了工作電路因為電壓過大造成的損壞。靜電導出后ESD保護器件兩端的電勢差隨之消失，ESD保護器件又回到高阻狀態。

當前，高速信號傳輸的應用越來越多，ESD保護器件自身的寄生電容越大對高速信號傳輸所造成的信號失真、損耗影響也就越大。現有技術中的ESD保護器件是利用PN結的反向擊穿原理來達到靜電保護的目的，其采用的是半導體制作工藝，因此，此類ESD保護器件往往要用較高的制造成本才能達到超小寄生電容容值與漏電流電流值（例如，實現小于0.2pf的寄生電容容值和小于100nA的漏電流流值）。此外，通過此類ESD保護器件的電流過大時，可能會造成ESD器件炸裂而形成開路現象。

發明內容

本發明實施例提供一種多路ESD保護器件的加工方法，以期降低ESD保護器件的制作成本、提高ESD保護器件的安全性。

本發明提供一種多路靜電釋放保護器件的加工方法，可包括：

在第一基材上加工出N個盲孔，其中，所述N大于2，所述第一基材包括第一導電層、第二導電層和位于所述第一導電層和所述第二導電層之間的第一絕緣層，其中，所述N個盲孔從所述第一導電層貫穿至所述第二導電層或者所述N個盲孔從所述第二導電層貫穿至所述第一導電層；

通過電鍍和/或化學鍍在所述N個盲孔內填充導電物質；

在所述第二導電層上進行圖形加工，以將所述第二導電層分割為互不導通的N個導電區域；

在所述第一導電層上進行圖形加工和/或在所述第一導電層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的盲槽，以將所述第一導電層分割為互不導通的N個導電區域，其中，所述第一導電層的N個導電區域中的每個導電區域，分別通過所述N個盲孔中的不同盲孔內的導電物質，與所述第二導電層的N個導電區域中的不同導電區域導通；

在所述第一導電層上設置第一樹脂層；

在所述第一樹脂層上設置保護層；

在所述保護層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的N-1個盲孔；

在所述N-1個盲孔內填充漿料，其中，所述第一導電層的N個導電區域包括接地導電區域和N-1個非接地導電區域，所述N-1個非接地導電區域中的每個非接地導電區域，分別通過所述N-1個盲孔中的不同盲孔內的漿料與所述接地導電區域相接，其中，所述漿料含有導電粒子和非導電粒子；

將所述保護層從所述第一樹脂層上剝離；

在所述第一樹脂層上設置保護上體。

可選的，所述在第一基材上加工出N個盲孔，包括：通過機械鉆孔或激光鉆孔方式在所述第一基材加工出N個盲孔。

可選的，所述在第一基材上加工出N個盲孔，可包括：在所述第一基材的所述第一導電層上進行開窗處理以露出N個盲孔加工區域；通過機械鉆孔或激光鉆孔方式在所述N個盲孔加工區域加工出貫穿至第二導電層的N個盲孔；或者，在所述第一基材的所述第二導電層上進行開窗處理以露出N個盲孔加工區域；通過機械鉆孔或激光鉆孔方式在所述N個盲孔加工區域加工出貫穿至第一導電層的N個盲孔；或者，通過機械鉆孔方式在所述第一基材的所述第一導電層上加工出貫穿至第二導電層的N個盲孔；或者，通過機械鉆孔方式在所述第一基材的所述第二導電層上加工出貫穿至第一導電層的N個盲孔。