[發明專利]低功耗寬帶壓控振蕩器

有效

• 申請號: 201210590369.3
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103078591A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 樊祥寧;李斌;馬鵬;蔣雪飛;王志功
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03B5/36
• 分類號: H03B5/36
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種低功耗寬帶壓控振蕩器，其特征是：包括第一、第二兩個負阻電路模塊和四階諧振腔，其中：

第一負阻電路模塊包括PMOS管M_p1、NMOS管M_n1以及開關K₁及K₂，電源VDD串聯開關K₁后連接PMOS管M_p1的源極，NMOS管M_n1的源極串聯開關K₂后接地，NMOS管M_n1的柵極連接PMOS管M_p1的漏極作為輸出端Q₁，PMOS管M_p1的柵極連接NMOS管M_n1的漏極作為輸出端Q₂，外部控制信號Mode同時控制開關K₁及K₂的導通或斷開；

第二負阻電路模塊包括PMOS管M_p2、NMOS管M_n2以及開關K₃及K₄，電源VDD串聯開關K₃后連接PMOS管M_p2的源極，NMOS管M_n2的源極串聯開關K₄后接地，NMOS管M_n2的柵極連接PMOS管M_p2的漏極作為輸出端Q₃，PMOS管M_p2的柵極連接NMOS管M_n2的漏極作為輸出端Q₄，外部控制信號Mode經反相器后同時控制開關K₃及K₄的導通或斷開；

四階諧振腔包括電感L₁及第一電容單元和電感L₂及第二電容單元，電感L₁與第一電容單元并聯在第一負阻電路模塊的輸出端Q₁與輸出端Q₂之間，電感L₂與第二電容單元并聯在第二負阻電路模塊的輸出端Q₃與輸出端Q₄之間；其中：

第一電容單元包括第一開關電容陣列和第一模擬調諧電容，第一開關電容陣列包括n條并列支路，每條支路包含兩個電容和一個開關，開關串聯接在兩個電容之間，兩個電容未連接開關的一端分別與第一負阻電路模塊的輸出端Q₁和輸出端Q₂連接，n條并列支路中從第一條到第n條支路，電容值以第一條支路電容值為基數，按2的倍數增長，第一條支路中的兩個電容均定義為C_b1、一個開關定義為SW₀，由外部控制信號S₀控制SW₀導通和關斷，直至第n條支路中的兩個電容定義均為2^n-1C_b1、一個開關定義為SW_n-1，由外部控制信號S_n-1控制SW_n-1導通和關斷；第一模擬調諧電容包括兩個可變電容C_v1，兩個可變電容C_v1背靠背對接，對接端與模擬調諧電壓V_ctrl相連，兩個可變電容C_v1未連接在一起的一端分別與第一負阻電路模塊的輸出端Q₁和輸出端Q₂連接；

第二電容單元包括第二開關電容陣列和第二模擬調諧電容，第二開關電容陣列包括與第一開關電容陣列對應的n條并列支路，每條支路包含兩個電容和一個開關，開關串聯接在兩個電容之間，兩個電容未連接開關的一端分別與第一負阻電路模塊的輸出端Q₃和輸出端Q₄連接，n條并列支路中從第一條到第n條支路，電容值以第一條支路電容值為基數，按2的倍數增長，第一條支路中的兩個電容均定義為C_b2、一個開關定義為SW₀，由外部控制信號S₀控制SW₀導通和關斷，直至第n條支路中的兩個電容定義均為2^n-1C_b2、一個開關定義為SW_n-1，由外部控制信號S_n-1控制SW_n-1導通和關斷；第二模擬調諧電容包括兩個可變電容C_v2，兩個可變電容C_v2背靠背對接，對接端與模擬調諧電壓V_ctrl相連，兩個可變電容C_v2未連接在一起的一端分別與第二負阻電路模塊的輸出端Q₃和輸出端Q₄連接；第一開關電容陣列和第二開關電容陣列由同一組控制字S₀～S_n-1控制。