[發明專利]全差分低功耗低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201210589611.5
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103078596A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 吳建輝;楊仲盼;李紅;陳超;白春風;劉智林;尹海峰;徐哲
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 夏雪

1.一種全差分低功耗低噪聲放大器，其特征在于：該放大器包含共源級放大器和共柵級放大器；其中，共源級放大器包括第一和第二N型金屬氧化物晶體管(N1和N2)、第一和第二P型金屬氧化物晶體管(P1和P2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第五至第八電阻(R5-R8)和第一至第五電容(C1-C5)；共柵級放大器包括第三和第四P型金屬氧化物晶體管(P3和P4)以及第三和第四電阻(R3和R4)；

差分輸入信號正端(Vin+)接第一和第三電容(C1和C3)的下極板以及第四P型金屬氧化物晶體管(P4)的源極；差分輸入信號負端(Vin-)接第二和第四電容(C2和C4)的下極板以及第三P型金屬氧化物晶體管(P3)的源極；第一和第二電容(C1和C2)的上極板分別接第一和第二N型金屬氧化物晶體管(N1和N2)的柵極；第一和第二電容(C1和C2)的上極板又分別接第七和第八電阻(R7和R8)的正端，第七和第八電阻(R7和R8)的負端由第一偏置電壓(Vb1)提供偏置；第一和第二N型金屬氧化物晶體管(N1和N2)的源極都接地；第一N型金屬氧化物晶體管(N1)的漏極連接第一P型金屬氧化物晶體管(P1)的漏極以及第一和第三電阻(R1和R3)的正端；第二N型金屬氧化物晶體管(N2)的漏極連接第二P型金屬氧化物晶體管(P2)的漏極以及第二和第四電阻(R2和R4)的正端；第一電阻(R1)負端和第二電阻(R2)的負端連接，并且連接第五電容(C5)的上極板；第五電容(C5)的下極板接地；第三電阻(R3)的負端連接第三P型金屬氧化物晶體管(P3)的漏極，并且作為差分輸出負端(Vout-)；第四電阻(R4)的負端連接第四P型金屬氧化物晶體管(P4)的漏極，并且作為差分輸出正端(Vout+)；第三和第四P型金屬氧化物晶體管(P3和P4)的柵極連接，分別連接第五和第六電阻(R5和R6)的負端，由第二偏置電壓(Vb2)提供偏置；第五電阻(R5)的正端與第三電容(C3)的上極板連接，并且連接第一P型金屬氧化物晶體管(P1)的柵極；第六電阻(R6)的正端與第四電容(C4)的上極板連接，并且連接第二P型金屬氧化物晶體管(P2)的柵極；第一和第二P型金屬氧化物晶體管(P1和P2)的源極連接電源電壓。