[發明專利]一種陣列基板的制備方法

無效

• 申請號: 201210589548.5
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103066017A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 郭建
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制備方法。

背景技術

隨著薄膜晶體管液晶顯示技術的不斷發展，越來越多的新技術不斷地被提出和應用，例如高分辨率、高開口率、陣列基板行驅動(Gateon?Array，GOA)技術等。目前，對于TFT-LCD而言，現有技術中對于高級超維場轉換技術(Advanced-Super?Dimensional?Switching，簡稱為ADS)型陣列基板通常需要柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜、以及第二電極層掩膜7次構圖工藝來制造，而每一次構圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。

然而，構圖工藝的次數過多將直接導致產品的成本上升以及量產產品的產能降低，因此如何能夠進一步減少構圖工藝的次數也就成為了人們日益關注的問題。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板的制備方法，通過將帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案在一次構圖工藝中形成，以及將第一電極的圖案和數據線、源電極、漏電極的圖案在一次構圖工藝中形成，來減少構圖工藝次數，從而提升量產產品的產能，降低成本。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

提供了一種陣列基板的制備方法，包括：步驟1、在基板上形成包括柵電極，柵線引線的圖案層；步驟2、在完成前述步驟的基板上依次形成絕緣層薄膜和有源層薄膜，通過構圖工藝形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案，其中所述第一過孔位于所述柵線引線上方；步驟3、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導電薄膜和金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括第一電極的圖案層、以及包括數據線、源電極、漏電極和薄膜場效應晶體管TFT溝道的圖案層；步驟4、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案；步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。

本發明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，通過一次構圖工藝處理形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案和所述有源層的圖案，以及通過一次構圖工藝處理形成包括第一電極的圖案層和包括數據線、源電極和漏電極的圖案層，與現有技術中通過兩次構圖工藝處理分別形成所述帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案和有源層的圖案，以及通過兩次構圖工藝處理分別形成所述第一電極圖案和所述數據線、源電極和漏電極圖案相比，本發明實施例減少了構圖工藝的次數，從而提升量產產品的產能，降低成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例一提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發明實施例一提供的一種形成包括柵電極，柵線引線的圖案的示意圖；

圖3～圖8為本發明實施例一提供的一種形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案的過程示意圖；

圖9～圖14本發明實施例一提供的一種形成包括第一電極的圖案層、以及包括數據線、源電極、漏電極的圖案層的過程示意圖；

圖15為本發明實施例一提供的一種包括鈍化層的圖案的陣列基板的示意圖；

圖16為本發明實施例一提供的一種包括第二電極的圖案層的陣列基板的示意圖；

圖17～圖21為本發明實施例二提供的另一種制作陣列基板的過程示意圖；

圖22為本發明實施例三提供的制作一種陣列基板的示意圖。

附圖標記：

11-柵金屬層，11a-柵極，11b-柵線引線；12-絕緣層薄膜，12a-第一過孔，12b-柵絕緣層；13-有源層薄膜，13a-有源層圖案，13a1-非晶硅圖案，13a2-n+非晶硅圖案；14-光刻膠，14a-光刻膠完全保留部分14b-光刻膠半保留部分，14c-光刻膠完全去除部分；15-第一灰色調掩膜板，15a-不透明部分，15b-半透明部分，15c-透明部分；17-透明導電薄膜，17a-第一電極圖案，17b-第一透明導電圖案，17c-第二透明導電圖案；18-金屬薄膜，18a-源電極，18b-漏電極，18c-源漏金屬層保留圖案；145-溝道；19-第二灰色調掩膜板；20-鈍化層，20a-第二過孔；21-第二電極。

具體實施方式