[發明專利]非晶硅柵極驅動器

有效

• 申請號: 201210587910.5
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103295543A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 曹兆鏗;陶承鋒
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;H01L29/417;H01L23/50;H01L27/088
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及液晶顯示器技術領域，特別涉及一種非晶硅柵極驅動器。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（thin-film?transistor?liquid?crystal?display，TFT-LCD）是一種平面顯示裝置，其主要包括陣列基板、彩膜基板及夾持于陣列基板、彩膜基板之間的液晶層。現有的薄膜晶體管液晶顯示器工作時，其陣列基板上的柵極線及數據線均需要驅動電路進行驅動才能工作。

為了降低薄膜晶體管液晶顯示器的制造成本，同時提高薄膜晶體管液晶顯示器的有效顯示面積，現有技術中，比較通用的一種做法是采用非晶硅柵極驅動器。所述非晶硅柵極驅動器常采用形成陣列基板上的開關元件相同的工藝，并直接形成于陣列基板上。

通常的，非晶硅柵極驅動器包括多個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管包括柵極、位于所述柵極之上的非晶硅層及位于所述非晶硅層之上的源極和漏極，多個薄膜晶體管通過與源極一體形成的源極連接線或者與漏極一體形成漏極連接線予以連接。

現有形成非晶硅柵極驅動器的一種工藝為單狹縫透光罩（single?slit?mask）工藝，此工藝屬于一種半灰階掩膜版（GTM）技術。由于該工藝的特性，在第二金屬層下方（也即源極、漏極、源極連接線及漏極連接線的下方）必然存在非晶硅層殘留，此部分殘留的非晶硅層容易導致光生漏電流。而對于此種工藝形成的非晶硅柵極驅動器而言，距離源極和漏極之間的溝道較近的光生漏電流將導致源漏極之間的漏電流大大增加，從而產生非晶硅柵極驅動器失效的情況。

具體的，請參考圖1，其為現有的非晶硅柵極驅動器的部分結構示意圖。如圖1所示，所述非晶硅柵極驅動器1包括多個薄膜晶體管10，在此，示出了兩個薄膜晶體管10，分別為薄膜晶體管10a及薄膜晶體管10b，薄膜晶體管10a及薄膜晶體管10b通過與源極11一體形成的源極連接線12連接。在此，源極11、源極連接線12的下方均殘留有非晶硅層13，而在源極連接線12的下方所殘留的非晶硅層13由于沒有柵極（金屬）14的遮蔽而容易產生光生漏電流，特別的，源極11及源極連接線12交界處A所產生的光生漏電流由于與源極11和漏極15間溝道16的距離非常近，從而將導致溝道16導通（在此，所述溝道16也形成于非晶硅層上，從而交界處A下殘留有的非晶硅層13中的光生漏電流將直接傳遞至溝道16中）、源極11和漏極15之間漏電流大大增加、非晶硅柵極驅動器1極易失效。

進一步的，請參考圖2，其為圖1所示的非晶硅柵極驅動器BB’處的剖面示意圖。如圖2所示，在源極11及源極連接線12交界處A下的非晶硅層13中所產生的光生漏電流將由于與源極11及漏極之間的溝道距離非常近，而將光生漏電流傳遞至溝道中。在此，源極連接線12下方其余殘留的非晶硅層13（即除了交界處A之外）中，也將產生光生漏電流，但是，由于該部分的光生漏電流離溝道距離較遠，因此對于溝道的影響非常微弱，也就是說此部分光生漏電流將不會導致溝道導通。

綜上可知，現有技術中面臨著這樣一個問題，源極及源極連接線交界處下殘留有的非晶硅層將導致源極和漏極之間漏電流大大增加、非晶硅柵極驅動器極易失效。此外，由于源極和漏極是相對使用的結構，因此漏極及漏極接線交界處在同樣使用時，也將面臨相同的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種非晶硅柵極驅動器，用以解決現有技術中的非晶硅柵極驅動器源極和漏極之間漏電流大、非晶硅柵極驅動器極易失效的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種非晶硅柵極驅動器，所述非晶硅柵極驅動器形成于陣列基板上，所述非晶硅柵極驅動器包括：多個薄膜晶體管；每個所述薄膜晶體管均包括柵極、位于所述柵極之上的非晶硅層及位于所述非晶硅層之上的源極和漏極，所述源極和漏極在所述陣列基板上的正投影均位于所述柵極在所述陣列基板上的正投影內；每個所述薄膜晶體管還包括：

源極連接線，所述源極連接線與所述源極電性連接，所述源極連接線與所述源極位于不同的膜層；

和/或漏極連接線，所述漏極連接線與所述漏極電性連接，所述漏極連接線與所述漏極位于不同的膜層；

其中，每個薄膜晶體管均通過所述源極連接線和/或漏極連接線實現與其余的一個或者多個薄膜晶體管電性連接。

可選的，在所述的非晶硅柵極驅動器中，所述薄膜晶體管的源極和漏極之間形成有溝道。

可選的，在所述的非晶硅柵極驅動器中，所述源極連接線通過接觸孔與所述源極電性連接，所述漏極連接線通過接觸孔與所述漏極電性連接。

可選的，在所述的非晶硅柵極驅動器中，所述薄膜晶體管采用單狹縫透光罩工藝形成。