[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210587517.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103187274B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許晶植;李來寅;鄭舜文
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在硅基板中形成第一和第二有源區(qū)，其中所述第一和第二有源區(qū)具有相反的導(dǎo)電類型，其中所述第一和第二有源區(qū)被器件隔離層圍繞；

在所述第一有源區(qū)上形成第一柵極，其中所述第一柵極包括在所述第一有源區(qū)上的第一柵絕緣層和在所述第一柵絕緣層上的第一柵電極；

在所述第二有源區(qū)上形成第二柵極，其中所述第二柵極包括在所述第二有源區(qū)上的第二柵絕緣層和在所述第二柵絕緣層上的第二柵電極；

在所述第一柵極的相對兩側(cè)的所述第一有源區(qū)中形成第一源/漏區(qū)；

在所述第二柵極的相對兩側(cè)的所述第二有源區(qū)中形成第二源/漏區(qū)；

在第一源/漏區(qū)的至少一個(gè)和第二源/漏區(qū)的至少一個(gè)上形成金屬層；

所述金屬層與所述第一源/漏區(qū)的所述至少一個(gè)反應(yīng)以及所述金屬層與所述第二源/漏區(qū)的所述至少一個(gè)反應(yīng)，以在所述第一源/漏區(qū)的所述至少一個(gè)和所述第二源/漏區(qū)的所述至少一個(gè)上形成金屬硅化物；以及

在所述金屬層發(fā)生反應(yīng)之后，利用電解的硫酸溶液去除所述金屬層的未反應(yīng)的殘余物，

其中所述金屬層包括鎳，所述第一和第二柵電極包括鎢、鉬、鈦氮化物、鎢氮化物和鉭氮化物中的至少之一。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一柵電極包括在所述第一柵絕緣層上的金屬氧化物層以及在所述金屬氧化物層上的金屬氮化物層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述金屬氧化物層是第一金屬氧化物層，其中所述金屬氮化物層是第一金屬氮化物層，其中所述第二柵電極包括在所述第二柵絕緣層上的第二金屬氮化物層、在所述第二金屬氮化物層上的第二金屬氧化物層以及在所述第二金屬氧化物層上的第三金屬氮化物層。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一柵極在所述第一金屬氧化物層和所述第一柵絕緣層之間不具有氮化物。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述第一和第二柵極之前，在所述第二有源區(qū)上選擇性地形成包括鍺的半導(dǎo)體層，同時(shí)保持所述第一有源區(qū)不具有包括鍺的所述半導(dǎo)體層。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述金屬層之前，在所述第二柵極的側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔物，其中所述第二柵電極的一部分在所述側(cè)壁間隔物與所述器件隔離層之間延伸。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬層發(fā)生反應(yīng)包括執(zhí)行第一熱處理，該方法還包括：

在去除所述未反應(yīng)的殘余物之后，在超過所述第一熱處理的最高溫度的溫度下執(zhí)行第二熱處理。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括：

在執(zhí)行所述第二熱處理之后，使用王水清潔包括所述金屬硅化物的所述半導(dǎo)體器件的表面。

9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：

在硅基板上形成柵極，其中所述柵極包括在所述硅基板上的柵絕緣層和在所述柵絕緣層上的柵電極，其中所述柵電極包括在所述柵絕緣層上的第一金屬層；

在所述柵極的相對兩側(cè)的所述硅基板中形成源/漏區(qū)；

在所述源/漏區(qū)的至少一個(gè)上形成第二金屬層，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層包括不同的金屬；

所述第二金屬層與所述源/漏區(qū)的所述至少一個(gè)發(fā)生反應(yīng)以在所述源/漏區(qū)的所述至少一個(gè)上形成金屬硅化物；以及

在所述金屬層發(fā)生反應(yīng)之后，使用蝕刻溶液去除所述第二金屬層的未反應(yīng)的殘余物，其中所述第二金屬層關(guān)于所述蝕刻溶液的蝕刻速率顯著大于所述第一金屬層關(guān)于所述蝕刻溶液的蝕刻速率，

其中所述第一金屬層包括鎢、鉬、鈦氮化物、鎢氮化物和鉭氮化物中的至少之一，其中所述第二金屬層包括鎳。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述蝕刻溶液包括電解的硫酸。