[發明專利]封裝片、光半導體裝置的制造方法、光半導體裝置及照明裝置無效
| 申請號: | 201210587509.1 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103187517A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發明(設計)人: | 河野廣希;近藤隆;江部悠紀;脅家慎介 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社;IDEC株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 半導體 裝置 制造 方法 照明 | ||
技術領域
本發明涉及封裝片、使用該封裝片的光半導體裝置的制造方法、光半導體裝置及照明裝置。?
背景技術
迄今,已知用樹脂對發光二極管(LED)等光半導體元件進行封裝。?
例如,提出了使用具備含有熒光體的第一樹脂層、以及用于封裝光半導體元件的第二樹脂層的光半導體封裝用片對光半導體元件進行封裝,得到光半導體裝置的方案(例如參見日本特開2010-123802號公報)。?
在該光半導體裝置中,例如,由YAG類熒光體構成熒光體、由藍色發光二極管構成光半導體元件,即可將來自藍色發光二極管的藍色光與來自YAG類熒光體的黃色光混色而得到白色光。?
發明內容
然而,在上述日本特開2010-123802號公報中記載的光半導體封裝用片中,沿第一樹脂層與第二樹脂層的層疊方向傳播的藍色光與來自YAG類熒光體的黃色光恰當混色而形成白色光,而另一方面,沿不同于層疊方向的方向前進的藍色光與來自YAG類熒光體的黃色光的混色平衡有時會被打破而無法形成白色光。?
例如,在第二樹脂層中不含熒光體時,有時來自藍色發光?二極管的藍色光不通過第一樹脂層而從第二樹脂層的側面(與層疊方向正交的方向的側面)漏出。?
即,在此時,如果從與層疊方向正交的方向察看光半導體裝置,則光半導體裝置看起來是發藍色光的。?
此外,如果第二樹脂層中含有少量的熒光體,則從與層疊方向正交的方向察看光半導體裝置時,來自藍色發光二極管的藍色光要強于來自YAG類熒光體的黃色光,光半導體裝置看起來是發藍色光的。?
此外,如果第二樹脂層中含有大量的熒光體,則從與層疊方向正交的方向察看半導體裝置時,來自YAG類熒光體的黃色光要強于來自藍色發光二極管的藍色光,光半導體裝置看起來是發黃色光的。?
由此可知,根據察看光半導體裝置的角度(視場角)的不同,來自光半導體裝置的光的色度會發生變化。?
因此,本發明的目的在于提供可以使來自光半導體裝置的光的色度隨著視場角變化的情況減少的封裝片、光半導體裝置的制造方法、光半導體裝置和照明裝置。?
本發明的封裝片的特征在于,其用于封裝光半導體元件,其具備:含有熒光體的第一層,以及含有熒光體、層疊在前述第一層上、用于封裝前述光半導體元件的第二層,前述第一層中的前述熒光體的體積與前述第二層中的前述熒光體的體積之比為90:10~55:45。?
此外,在本發明的封裝片中,優選的是,前述第一層和前述第二層含有有機硅樹脂。?
此外,在本發明的封裝片中,優選的是,前述第一層中含有的前述熒光體和前述第二層中含有的前述熒光體為(Sr,Ba)2SiO4:Eu。?
此外,在本發明的封裝片中,優選的是,調整前述第一層中含有的前述熒光體與前述第二層中含有的前述熒光體的總量,使得在使封裝的前述光半導體元件發光時,總光通量測定中的CIE-y為0.32~0.37。?
此外,本發明的光半導體裝置的制造方法的特征在于,其包括以下工序:使上述封裝片的前述第二層朝向前述光半導體元件而使前述封裝片與前述光半導體元件相對的工序,將相對的前述封裝片和前述光半導體元件的至少一方沿使它們接近的方向按壓來封裝前述光半導體元件的工序。?
此外,本發明的光半導體裝置的特征在于,其具備:光半導體元件,含有熒光體、相對于前述光半導體元件隔著間隔相對配置的第一熒光層,以及含有熒光體、夾在前述光半導體元件與前述第一熒光層之間、用于封裝前述光半導體元件的第二熒光層,前述第一熒光層中的前述熒光體的體積與前述第二熒光層中的前述熒光體的體積之比為90:10~55:45。?
此外,在本發明的光半導體裝置中,優選的是,前述第一熒光層和前述第二熒光層含有有機硅樹脂。?
此外,在本發明的光半導體裝置中,優選的是,在前述光半導體元件與前述第一熒光層相對的方向上的前述第一熒光層的表面與前述光半導體元件間的距離比在與前述相對的方向正交的方向上的前述第二熒光層的表面與前述光半導體元件間的距離短。?
此外,在本發明的光半導體裝置中,優選的是,前述第一熒光層中含有的前述熒光體和前述第二熒光層中含有的前述熒光體為(Sr,Ba)2SiO4:Eu。?
此外,在本發明的光半導體裝置中,優選的是,調整前述第一熒光層中含有的前述熒光體與前述第二熒光層中含有的前?述熒光體的總量,使得總光通量測定中的CIE-y為0.32~0.37?
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