[發明專利]曝光裝置有效
| 申請號: | 201210587429.6 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103901733B | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發明(設計)人: | 葛黎黎;王天明 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 裝置 | ||
1.一種曝光裝置,用于將電路圖形投影于涂有光刻膠的硅片上,其特征在于,包括整機框架系統、傳輸系統以及設置在所述整機框架系統內部的曝光系統、運動臺系統、測量系統和對準系統,所述曝光系統用于將電路圖形投影于所述硅片上,包括照明模塊、物鏡及燈室,所述物鏡采用放大倍率,所述運動臺系統包括掩模臺和工件臺,所述掩模臺和工件臺分別用于承載掩模版和硅片,所述掩模臺長行程采用粗微動結構,所述工件臺上還設有反力外引機構,所述測量系統用于測量工件臺及掩模臺長行程的相對運動距離,所述對準系統用于測量所述掩模版、掩模臺和工件臺三者之間的相對位置,所述傳輸系統用于所述掩模版及硅片的交換工作。
2.根據權利要求1所述曝光裝置,其特征在于,所述物鏡的放大倍率為1:2。
3.根據權利要求1所述曝光裝置,其特征在于,還包括環境控制系統,所述環境控制系統用于控制該曝光裝置中的其他系統的溫度、濕度、壓力和潔凈度。
4.根據權利要求1所述曝光裝置,其特征在于,所述燈室提供的光源經所述照明模塊濾波、勻光、擴束后,照射到所述掩模版上,光束接收所述掩模版上的掩模信息后經所述物鏡照射到所述硅片上。
5.根據權利要求1所述曝光裝置,其特征在于,所述整機框架系統包括減振器系統以及由所述減振器系統分隔開的內部框架和外部框架。
6.根據權利要求5所述曝光裝置,其特征在于,所述運動臺系統還包括工件臺長行程電機定子,所述反力外引機構包括兩個工件臺反力外引支架、彈簧和緩沖器,所述兩個工件臺反力外引支架間隔設置于所述整機框架系統的外部框架上,所述工件臺長行程電機定子的兩端分別通過所述彈簧和緩沖器與所述兩個工件臺反力外引支架連接,所述工件臺在所述工件臺長行程電機定子上運動。
7.根據權利要求6所述曝光裝置,其特征在于,所述內部框架包括吊框、主基板、掩模臺支架和照明支架,所述減振器系統設置于所述外部框架上,所述吊框設置于所述減振器系統上,所述主基板設置于所述吊框上,所述掩模臺支架設置于所述主基板上,所述照明支架設置于所述掩模臺支架上,所述吊框用于承載所述工件臺,所述物鏡穿設于所述掩模臺支架與主基板中,所述掩模臺支架用于承載所述掩模臺,所述照明支架用于承載所述照明模塊。
8.根據權利要求7所述曝光裝置,其特征在于,所述主基板為“橋”式結構。
9.根據權利要求8所述曝光裝置,其特征在于,所述主基板部分鏤空。
10.根據權利要求9所述曝光裝置,其特征在于,所述主基板的鏤空處填充阻尼材料。
11.根據權利要求10所述曝光裝置,其特征在于,所述阻尼材料為樹脂或橡膠。
12.根據權利要求7所述曝光裝置,其特征在于,所述減振器系統包括四個減振器,分別設置于所述外部框架的四角。
13.根據權利要求7所述曝光裝置,其特征在于,所述減振器系統根據所述工件臺及掩模臺提供的水平向加速信號和位置信號對所述內部框架做前饋補償。
14.根據權利要求6所述曝光裝置,其特征在于,還包括調平墊鐵,所述調平墊鐵設置于所述外部框架下,所述調平墊鐵用于調平所述運動臺系統。
15.根據權利要求1所述曝光裝置,其特征在于,所述測量系統包括掩模臺激光干涉儀和工件臺激光干涉儀,所述掩模臺激光干涉儀和工件臺激光干涉儀分別用于測量所述掩模臺和工件臺的長行程相對運動距離。
16.根據權利要求15所述曝光裝置,其特征在于,所述測量系統還包括掩模臺參考光激光干涉儀,所述掩模臺參考光激光干涉儀輔助所述掩模臺激光干涉儀進行掩模臺長行程的相對運動距離測量。
17.根據權利要求1所述曝光裝置,其特征在于,所述對準系統包括同軸對準傳感器、離軸對準傳感器、調平調焦傳感器和掩模臺垂向電容傳感器,所述同軸對準傳感器用于確定所述工件臺相對于所述掩模臺的水平向位置關系,所述離軸對準傳感器用于確定所述工件臺相對于所述硅片的位置關系,所述調平調焦傳感器用于檢測所述硅片的垂向位置,所述掩模臺垂向電容傳感器用于檢測所述掩模版的垂向位置。
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