[發明專利]一種激光退火裝置及方法有效
| 申請號: | 201210586819.1 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103903967A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 徐建旭;蘭艷平 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;B23K26/06 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光 退火 裝置 方法 | ||
1.一種激光退火裝置,其特征在于,包括:
激光退火單元,用于對所述加工對象進行激光退火;
反射率檢測單元,用于檢測與分析所述加工對象的表面狀態;
工件臺,用于放置一加工對象;其中,
所述激光退火單元包括:
激光器,用于射出激光;
擴束系統,用于對所述激光器射出的激光進行擴束;
勻光系統,用于對所述擴束系統擴束的激光進行勻光;
分光系統,用于對經所述勻光系統勻光的激光進行第一分光;其中,所述分光系統將所述激光器射出的99%的激光分出作為第一反射光,并將所述激光器射出的其余1%的激光分出作為透射光;
聚焦系統,用于對所述分光系統分出的第一反射光進行聚焦。
2.根據權利要求1所述的激光退火裝置,其特征在于,所述分光系統還用于將經過加工對象的第一反射光進行第二分光以獲取第二反射光。
3.根據權利要求2所述的激光退火裝置,其特征在于,所述反射率檢測單元包括:
第一能量探測器,用于探測所述分光系統分出的透射光,并根據探測到的透射光發出第一信號;
第二能量探測器,用于探測所述分光系統分出的第二反射光,并根據探測到的所述第二反射光發出第二信號;
第一信號處理系統,用于接收所述第一信號和所述第二信號。
4.根據權利要求1所述的激光退火裝置,其特征在于,所述反射率檢測單元包括:
第三能量探測器,用于探測所述分光系統分出的透射光,并根據探測到的透射光發出第三信號;
第四能量探測器,用于探測所述加工對象反射出的第一反射光,并根據探測到的所述第一反射光發出第四信號;
第二信號處理系統,用于接收所述第三信號和所述第四信號。
5.一種激光退火裝置,其特征在于,包括:
激光退火單元,用于對所述加工對象進行激光退火;
反射率檢測單元,用于檢測與分析所述加工對象的表面狀態;
工件臺,用于放置一加工對象;其中,
所述激光退火單元包括:
激光器,用于射出激光;
擴束系統,用于對所述激光器射出的激光進行擴束;
勻光系統,用于對所述擴束系統擴束的激光進行勻光;
第一分光系統,設置于所述激光器和擴束系統之間、擴束系統和勻光系統之間或勻光系統和第二分光系統之間的任一位置,所述第一分光系統對所述激光器、擴束系統或勻光系統射出的激光進行第一分光,其中,所述第一分光系統將射出的99%的激光分出作為第一反射光,并將射出的其余1%的激光分出作為透射光;
第二分光系統,用于對經所述勻光系統勻光后的第一反射光或經所述第一分光系統進行第一分光后的第一反射光傳遞至聚焦系統;
聚焦系統,用于對所述第二分光系統傳遞的第一反射光進行聚焦。
6.根據權利要求5所述的激光退火裝置,其特征在于,所述第二分光系統還用于將經過所述加工對象的第一反射光進行第二分光以獲取第二反射光。
7.根據權利要求6所述的激光退火裝置,其特征在于,所述反射率檢測單元包括:
第五能量探測器,用于探測所述第一分光系統所分出的透射光,并根據探測到的透射光發出第五信號;
第六能量探測器,用于探測所述第二分光系統分出的第二反射光,并根據探測到的第二反射光發出第六信號;
第三信號處理系統,用于接收所述第五信號和所述第六信號。
8.一種激光退火方法,使用如權利要求1所述的一種激光退火裝置,其特征在于,包括以下步驟:
將加工對象放置于工件臺上;
激光退火單元對加工對象進行激光退火處理,其中,從激光器射出的激光,依次經過擴束系統擴束,勻光系統勻光后,經過分光系統進行第一分光,所述分光系統將所述激光器射出的99%的激光分出作為第一反射光,并將所述激光器射出的其余1%的激光分出作為透射光;
第一反射光經過聚焦系統聚焦,焦點落在加工對象上;
所述第一反射光在加工對象上經過反射后,按原路返回,經過聚焦系統,透過分光系統進行第二分光獲取第二反射光;
反射率檢測單元檢測與分析所述第二反射光與透射光的第一比率,根據所述第一比率獲取加工對象的表面狀態,當加工對象的表面狀態為液態時,確認激光退火完成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





