[發(fā)明專利]一種晶圓缺陷的檢測系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210585636.8 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103065993A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧意飛 | 申請(專利權(quán))人: | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 缺陷 檢測 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,包括:
傅立葉濾波器,其包括位于光強(qiáng)信號采集范圍內(nèi)的多個(gè)阻擋單元,所述阻擋單元為第一方向排列的第一阻擋單元和/或第二方向排列的第二阻擋單元;
切換模塊,與所述傅里葉濾波器相連,根據(jù)檢測方向?qū)⑺鲎钃鯁卧袚Q為所述第一阻擋單元或所述第二阻擋單元;以及
檢測器,與所述傅立葉濾波器相連,檢測所述傅立葉濾波器透射的光強(qiáng)信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,所述阻擋單元為所述第一方向排列的第一阻擋單元和所述第二方向排列的第二阻擋單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅谝环较驎r(shí),所述切換模塊將所述第一阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之外;
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅诙较驎r(shí),所述切換模塊將所述第二阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之外。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅谝环较驎r(shí),所述切換模塊將所述第二阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之內(nèi),將所述第一阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之外以將所述阻擋單元切換為所述第二阻擋單元;
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅诙较驎r(shí),所述切換模塊將所述第一阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之內(nèi),將所述第二阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之外以將所述阻擋單元切換為所述第一阻擋單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,所述第一方向排列的第一阻擋單元與所述第二方向排列的第二阻擋單元位于不同平面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,所述阻擋單元為所述第一方向排列的第一阻擋單元或所述第二方向排列的第二阻擋單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅谝环较驎r(shí),所述切換模塊將所述第一方向排列的第一阻擋單元旋轉(zhuǎn)至所述第二方向,以切換為所述第二方向排列的第二阻擋單元;
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅诙较驎r(shí),所述切換模塊將所述第二方向排列的第二阻擋單元旋轉(zhuǎn)至所述第一方向,以切換為所述第一方向排列的第一阻擋單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,所述傅立葉濾波器還包括環(huán)繞所述阻擋單元周圍并連接所述阻擋單元的支撐單元;所述切換模塊與所述支撐單元相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,所述切換模塊通過旋轉(zhuǎn)所述支撐單元以旋轉(zhuǎn)所述阻擋單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測系統(tǒng),其特征在于,所述第二方向與所述第一方向垂直。
11.一種晶圓缺陷檢測方法,應(yīng)用于晶圓缺陷檢測系統(tǒng),所述檢測系統(tǒng)包括傅立葉濾波器,其包括位于光強(qiáng)信號采集范圍內(nèi)的多個(gè)阻擋單元,所述阻擋單元為第一方向排列的第一阻擋單元和/或第二方向排列的第二阻擋單元,其特征在于,所述檢測方法包括以下步驟:
根據(jù)檢測方向?qū)⑺鲎钃鯁卧袚Q為所述第一阻擋單元或所述第二阻擋單元;以及
檢測所述傅立葉濾波器透射的光強(qiáng)信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓缺陷的檢測方法,其特征在于,所述阻擋單元為所述第一方向排列的第一阻擋單元和所述第二方向排列的第二阻擋單元,其中根據(jù)檢測方向?qū)⑺鲎钃鯁卧袚Q為所述第一阻擋單元或所述第二阻擋單元的步驟包括:
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅谝环较驎r(shí),將所述第一阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之外;
當(dāng)所述檢測方向?yàn)樗龅诙较驎r(shí),將所述第二阻擋單元移動(dòng)至所述光強(qiáng)信號采集范圍之外。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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