[發(fā)明專利]LED發(fā)光芯片的光提取層及LED裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210585623.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN103022310A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康學(xué)軍;李鵬;張冀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種LED發(fā)光芯片的光提取層，所述LED發(fā)光芯片包括半導(dǎo)體層和與所述半導(dǎo)體層直接接觸的光提取層，其特征在于，所述光提取層與所述半導(dǎo)體層直接接觸的表面為第一表面，所述光提取層與外部介質(zhì)直接接觸的表面為第二表面，所述第一表面的折射率不小于所述半導(dǎo)體層的折射率，且所述光提取層的折射率從所述第一表面至所述第二表面呈遞減變化趨勢(shì)，且所述第二表面的折射率不大于所述外部介質(zhì)的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取層，其特征在于，所述光提取層只有一層，制備所述光提取層的材料的各組分的含量隨著所述光提取層厚度的變化而變化，使所述光提取層的折射率隨著所述光提取層的厚度的增加而減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取層，其特征在于，所述光提取層由k層光提取子層組成，第i層光提取子層的折射率大于第i+1層的光提取子層的折射率；

其中，所述第i層光提取子層比所述第i+1層光提取子層靠近所述半導(dǎo)體層，i，k均為整數(shù)，k>1，1≤i<k。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的光提取層，其特征在于，所述LED發(fā)光芯片結(jié)構(gòu)為垂直結(jié)構(gòu)、正裝結(jié)構(gòu)或倒裝結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的光提取層，其特征在于，所述LED發(fā)光芯片包括:襯底、位于所述襯底的第一端面之上的P型氮化鎵層、位于所述P型氮化鎵層之上的量子阱發(fā)光層、位于所述量子阱發(fā)光層之上的N型氮化鎵層、位于所述N型氮化鎵層的第一區(qū)域之上的N電極、位于所述N型氮化鎵層的第二區(qū)域之上的光提取層以及位于所述襯底的第二端面之上的P電極；

其中，所述N型氮化鎵層的第一區(qū)域和第二區(qū)域構(gòu)成N型氮化鎵層；所述第一端面和所述第二端面為所述襯底相對(duì)的兩個(gè)端面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的光提取層，其特征在于，所述LED發(fā)光芯片還包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層內(nèi)含有若干個(gè)孔，所述孔內(nèi)填充如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的光提取層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光提取層，其特征在于，所述LED發(fā)光芯片包括：襯底、位于所述襯底之上的N型氮化鎵層、位于所述N型氮化鎵層的第一區(qū)域之上的量子阱發(fā)光層、位于所述N型氮化鎵層的第二區(qū)域之上的N電極、位于所述量子阱發(fā)光層之上的P型氮化鎵層、位于所述P型氮化鎵層之上的所述導(dǎo)電層、以及位于所述導(dǎo)電層之上的P電極；

其中，N型氮化鎵層的第一區(qū)域和第二區(qū)域構(gòu)成N型氮化鎵層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取層，其特征在于，所述光提取層由透明氧化物或透明氮化物制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取層，其特征在于，采用復(fù)合物xTiO₂/(1-x)SiO₂或xNb₂O₅/(1-x)SiO₂制作所述光提取層，其中，0≤x≤1。

10.一種LED裝置，包括，支架、位于所述支架之上的LED芯片和金屬引線，其特征在于，所述LED芯片采用權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED裝置，其特征在于，還包括，位于所述LED芯片之上的環(huán)氧樹脂。