[發明專利]一種槽柵功率器件及制造方法

有效

• 申請號: 201210585498.3
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103022097B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 范春暉;王全
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/78;H01L21/28
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種制備槽柵功率器件的方法，包括：

步驟S01：在輕摻雜的半導體襯底表面形成硬掩模；其中包括：采用熱氧化方式在半導體襯底表面形成二氧化硅層，再在二氧化硅層表面形成氮化硅層，從而形成雙層硬掩模；

步驟S02：在所述半導體襯底內形成溝槽；

步驟S03：在漂移區的區域內的所述溝槽的部分表面形成內壁為斜坡狀的第一介質層；其中，具體包括：

(i)在所述溝槽中填充所述第一介質層材料，并進行平坦化處理；

(ii)以所述硬掩模為保護層，經干法刻蝕，在所述第一介質層材料的內壁上形成斜坡；

(iii)采用濕法腐蝕所述第一介質層材料，降低所述第一介質層高度，露出溝道區的區域內的溝槽側壁，形成所述內壁為斜坡狀的第一介質層；

步驟S04：在溝道區的區域內的所述溝槽的部分表面形成第二介質層；

步驟S05：在所述第一和第二介質層中填充多晶硅，并進行平坦化處理；

步驟S06：去除所述硬掩模，形成所述槽柵功率器件。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S02中，采用光刻和刻蝕的方法在所述襯底內形成所述溝槽。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二介質層材料為二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S04中，通過熱氧化的方式在所述溝道區的區域內的溝槽的部分表面形成。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S06，包括：

(i)采用濕法腐蝕的方法去除所述硬掩膜；

(ii)對所述溝道區和源區進行摻雜；

(iii)完成電極引出，形成所述槽柵功率器件。