[發(fā)明專利]一種利用準(zhǔn)分子激光提高柔性AZO薄膜光電性能的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210585439.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103074593A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵景珍;方曉東;董偉偉;鄧贊紅
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號: C23C14/58
• 分類號: C23C14/58;C23C14/08
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種利用準(zhǔn)分子激光提高柔性AZO薄膜光電性能的方法，其特征在于：采用柔性襯底，并在柔性襯底上制備鋁摻氧化鋅薄膜，利用準(zhǔn)分子激光退火裝置對鋁摻氧化鋅薄膜進(jìn)行退火處理，通過改變準(zhǔn)分子激光退火裝置出射激光束的參數(shù)來調(diào)節(jié)光束能量密度，從而使鋁摻氧化鋅薄膜達(dá)到最佳退火效果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用準(zhǔn)分子激光提高柔性AZO薄膜光電性能的方法，其特征在于：所述柔性襯底為柔性透明聚酯薄膜材料制成，優(yōu)選聚乙烯對苯二甲酯材料，或者是聚酰亞胺材料，或者是聚碳酸酯材料，或者是聚醚砜材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用準(zhǔn)分子激光提高柔性AZO薄膜光電性能的方法，其特征在于：所述鋁摻雜氧化鋅薄膜通過現(xiàn)有AZO薄膜制備技術(shù)制備在柔性襯底上，優(yōu)選磁控濺射法，或者是脈沖激光沉積法，或者是溶膠凝膠法，或者是真空蒸鍍法。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用準(zhǔn)分子激光提高柔性AZO薄膜光電性能的方法，其特征在于：所述準(zhǔn)分子激光退火裝置包括承載柔性襯底的基底、依次設(shè)置在基底上方的凸透鏡、光闌、光束均勻器、反射鏡，以及準(zhǔn)分子激光器和準(zhǔn)分子激光器的電源控制器，所述準(zhǔn)分子激光器的出射激光束光經(jīng)過反射鏡反射后，再依次經(jīng)過光束均勻器均勻、光闌調(diào)節(jié)、凸透鏡會(huì)聚至的柔性襯底上的鋁摻氧化鋅薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種利用準(zhǔn)分子激光提高柔性AZO薄膜光電性能的方法，其特征在于：所述準(zhǔn)分子激光器優(yōu)選KrF激光器，或者是ArF激光器，或者是XeCl激光器，或者是XeF激光器。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種利用準(zhǔn)分子激光提高柔性AZO薄膜光電性能的方法，其特征在于：所述光束均勻器由一組光楔組成。