[發明專利]電壓比較電路

無效

• 申請號: 201210585298.8
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103185830A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 巖佐洋助
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: G01R19/165
• 分類號: G01R19/165
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;舒艷君

1.一種電壓比較電路，其特征在于，具備：

連接于第1電位供給線和第1節點之間的電壓調整單元；

連接于所述第1節點和固定電位供給線之間的第1恒流源；

連接于第2電位供給線和第2節點之間，且根據與控制端子連接的所述第1節點的電壓動作的開關元件；

連接于所述第2節點和所述固定電位供給線之間的第2恒流源。

2.根據權利要求1所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述電壓調整單元具備第一PMOS晶體管，所述第一PMOS晶體管具有與所述第1電位供給線連接的源極，并將漏極以及柵極短路而在飽和區域動作。

3.根據權利要求1或者2所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述開關元件具備第二PMOS晶體管，所述第二PMOS晶體管具有與所述第2電位供給線連接的源極以及與所述第1節點連接的作為所述控制端子的柵極。

4.根據權利要求1～3中的任意一項所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述電壓調整單元和所述開關元件相鄰配置。

5.根據權利要求1～4中的任意一項所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述電壓調整單元由第一PMOS晶體管構成，所述開關元件由第二PMOS晶體管構成，且該第一PMOS晶體管和該第二PMOS晶體管構成為閾值電壓以及電流能力相等。

6.根據權利要求1～4中的任意一項所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述第1恒流源具備第一NMOS晶體管，所述第一NMOS晶體管的漏極與所述第1節點連接，且具有接地的源極，柵極被供給偏置電壓，

所述第2恒流源具備第二NMOS晶體管，所述第二NMOS晶體管的漏極與所述第2節點連接，且具有接地的源極，柵極被供給所述偏置電壓。

7.根據權利要求6所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管構成為閾值電壓以及電流能力相等。

8.根據權利要求1所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述電壓調整單元具備第三NMOS晶體管，所述第三NMOS晶體管具有與所述第1電位供給線連接的源極，并將漏極以及柵極短路而在飽和區域動作。

9.根據權利要求1或者8所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述開關元件具備第四NMOS晶體管，所述第四NMOS晶體管具有與第2電位供給線連接的源極以及與所述第1節點連接的作為所述控制端子的柵極。

10.根據權利要求1、8或者9所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述電壓調整單元和所述開關元件相鄰配置。

11.根據權利要求1或者8～10中的任意一項所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述電壓調整單元由第三NMOS晶體管構成，所述開關元件由第四NMOS晶體管構成，且該第三NMOS晶體管和該第四NMOS晶體管構成為閾值電壓以及電流能力相等。

12.根據權利要求1或者8～10中的任意一項所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述第1恒流源具備第三PMOS晶體管，所述第三PMOS晶體管的漏極與所述第1節點連接，且具有與第3電位供給線連接的源極，柵極被供給偏置電壓，

所述第2恒流源具備第四PMOS晶體管，所述第四PMOS晶體管的漏極與所述第2節點連接，且具有與所述第3電位供給線連接的源極，柵極被供給所述偏置電壓。

13.根據權利要求12所述的電壓比較電路，其特征在于，

所述第三PMOS晶體管和所述第四PMOS晶體管構成為閾值電壓以及電流能力相等。