[發明專利]氧化物薄膜晶體管、其制造的方法、具有其的顯示器件及該顯示器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210585093.X
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103427023A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 徐鉉植;金汶九;金峰澈;李政訓;柳昌逸
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種氧化物薄膜晶體管，包括：

形成在基板上的柵極；

形成在包括柵極的基板的整個表面上的柵絕緣層；

在柵極上方，于柵絕緣層上形成且完全覆蓋柵極的有源層圖案；

形成在有源層圖案和柵絕緣層上的蝕刻終止層圖案，以及

在包括蝕刻終止層圖案和有源層圖案的柵絕緣層上形成且彼此間隔開并覆蓋蝕刻終止層圖案的兩側和下面的有源層圖案的源極和漏極。

2.根據權利要求1的氧化物薄膜晶體管，其中柵極的線寬度大于有源層圖案的線寬度。

3.根據權利要求1的氧化物薄膜晶體管，其中有源層圖案的上部完全被蝕刻終止層圖案、源極和漏極覆蓋。

4.一種制造氧化物薄膜晶體管的方法，該方法包括：

在基板上形成柵極；

在包括柵極的基板的整個表面上形成柵絕緣層；

在柵極上方，于柵絕緣層上形成有源層圖案，使得該有源層圖案完全覆蓋柵極；

在有源層圖案和柵絕緣層上形成蝕刻終止層圖案，以及

在包括蝕刻終止層圖案和有源層圖案的柵絕緣層上形成源極和漏極，使得所述源極和漏極覆蓋蝕刻終止層圖案的兩側和下面的有源層圖案。

5.根據權利要求4的方法，其中柵極的線寬度大于有源層圖案的線寬度。

6.根據權利要求4的方法，其中有源層圖案的上部完全被蝕刻終止層圖案、源極和漏極覆蓋。

7.一種有機發光二極管顯示器件，包括：

限定了非像素區和發光區的下基板；

形成在下基板的非像素區的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極；形成在包括柵極的下基板的整個表面上的柵絕緣層；在柵極上方，于柵絕緣層上形成且完全覆蓋柵極的有源層圖案；形成在有源層圖案和柵絕緣層上的蝕刻終止層圖案，以及在包括蝕刻終止層圖案和有源層圖案的柵絕緣層上形成且彼此間隔開并覆蓋蝕刻終止層圖案的兩側和下面的有源層圖案的源極和漏極；

形成在包括薄膜晶體管的下基板的整個表面上的鈍化層；

形成在下基板的發光區的鈍化層上的多個濾色器層；

形成在下基板的非像素區的鈍化層上的虛擬濾色器層；

形成在包括濾色器層以及虛擬濾色器層的下基板的整個表面上的有機絕緣層；

形成在有機絕緣層、虛擬濾色器層和鈍化層上并暴露出薄膜晶體管的漏極的漏極接觸孔；

形成在有機絕緣層上并通過漏極接觸孔與漏極電連接的第一電極；

形成在下基板的非像素區的有機絕緣層上的堤岸層；

形成在包括第一電極的下基板的整個表面上的有機發光層；以及

與有機發光層的上部貼合的上基板，在上基板上形成有第二電極。

8.根據權利要求7的有機發光二極管顯示器件，其中柵極的線寬度大于有源層圖案的線寬度。

9.根據權利要求7的有機發光二極管顯示器件，其中有源層圖案的上部完全被蝕刻終止層圖案、源極和漏極覆蓋。

10.根據權利要求7的有機發光二極管顯示器件，其中虛擬濾色器層圖案由與濾色器層的濾色器材料相同的材料制成，或者具有不同濾色器材料堆疊的結構或者單層結構。