[發(fā)明專利]一種化學(xué)機(jī)械拋光方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210584555.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN103903979A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚穎;荊建芬;王雨春;王文龍
• 申請（專利權(quán)）人: 安集微電子（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/321
• 分類號(hào): H01L21/321
• 代理公司: 上海翰鴻律師事務(wù)所 31246
• 代理人: 李佳銘

1.一種用于TSV硅通孔化學(xué)機(jī)械拋光的工藝方法，包括以下步驟：

步驟A：用銅拋光液去除銅覆蓋層并對表面進(jìn)行平坦化；

步驟B：用阻擋層拋光液去除鉭阻擋層和部分介電層并對表面進(jìn)行平坦化；

步驟C：用加入氮化硅抑制劑的阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液去除介電層并保留氮化硅層，其中，所述氮化硅抑制劑單獨(dú)從一個(gè)供料管在線加入。

2.如權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述步驟A中的銅拋光液，對銅的去除速率大于

3.如權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述步驟A所用的下壓力為1.0-3.0psi，轉(zhuǎn)速為50-120rpm。

4.如權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述步驟B所用的下壓力為1.0-3.0psi，轉(zhuǎn)速為50-120rpm。

5.如權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述步驟C所用的下壓力為1.0-3.0psi，轉(zhuǎn)速為50-120rpm。

6.如權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述步驟B中的阻擋層拋光液包含一種研磨顆粒和水。

7.如權(quán)利要求6所述的工藝方法，其特征在于，所述的研磨顆粒為二氧化硅溶膠。

8.如權(quán)利要求6所述的工藝方法，其特征在于，所述的研磨顆粒的含量為15-40wt％。

9.如權(quán)利要求6所述的工藝方法，其特征在于，所述阻擋層拋光液還包含緩蝕劑，絡(luò)合劑和氧化劑。

10.如權(quán)利要求9所述的工藝方法，其特征在于，阻擋層拋光液的pH值為2-4。

11.如權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述氮化硅抑制劑為萘磺酸鹽類表面活性劑或磷酸酯類表面活性劑。

12.如權(quán)利要求11所述的工藝方法，其特征在于，所述氮化硅抑制劑為亞甲基二萘磺酸鈉，甲基萘磺酸鈉甲醛縮聚物，芐基萘磺酸甲醛縮聚物，烷基磷酸酯二乙醇胺鹽和/或烷基磷酸酯三乙醇胺鹽中的一種或多種。

13.如權(quán)利要求12所述的工藝方法，其特征在于，所述烷基磷酸酯鹽類表面活性劑的烷基碳原子數(shù)選自8～12。

14.如權(quán)利要求11所述的工藝方法，其特征在于，所述氮化硅抑制劑的含量為0.1-0.5wt％。