[發明專利]一種變壓器鐵芯的拼片結構

有效

• 申請號: 201210583896.1
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103050238A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 張春紅;張新根;花虹;汝慧紅
• 申請（專利權）人: 吳江市變壓器廠有限公司
• 主分類號: H01F27/26
• 分類號: H01F27/26;H01F27/245
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛

技術領域

本發明涉及一種變壓器鐵芯的拼片結構，特別是一種用于三相三柱式變壓器鐵芯的拼片結構。

背景技術

在變壓器中，鐵芯是變壓器的基本部件，是變壓器的磁路和安裝骨架。鐵芯一般是由若干片狀的硅鋼片層疊拼接制成?，F有三相三柱式變壓器的中柱片的片形通常為六邊形，上下軛所用的硅鋼片一般帶有缺口。上述兩種片形的硅鋼片在剪片過程中會產生大量不可利用的硅鋼片廢料，而且廢料既占據空間又需浪費人力定期清理。此外，硅鋼片的片形種類多且不統一，增加了鐵芯制造過程中疊片的復雜度。

發明內容

針對上述問題，本發明提供一種變壓器鐵芯的拼片結構，其鐵芯片的片形少、套裁簡單、基本不產生廢料。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為：

一種變壓器鐵芯的拼片結構，包括上鐵軛、下鐵軛、兩個側柱以及至少一個的中柱，所述上鐵軛、下鐵軛、側柱、中柱由其厚度方向并排排列的n組梯形鐵芯片拼接制成，其中n大于等于1。

優選的，所述梯形鐵芯片的梯形面的底角為45°。

優選的，每一組上鐵軛包括一個第一梯形鐵芯片和兩個第二梯形鐵芯片，所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個第二梯形鐵芯片的下底面相拼接，每一組上鐵軛中的第一梯形鐵芯片分別與兩個第二梯形鐵芯片的側面拼接成兩個第一斜面和V形凹槽。

優選的，每一組下鐵軛包括一個第一梯形鐵芯片和兩個第二梯形鐵芯片，所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個第二梯形鐵芯片的下底面相拼接，每一組下鐵軛中的第一梯形鐵芯片分別與兩個第二梯形鐵芯片的側面拼接成兩個第二斜面和V形凹槽。

優選的，每一組側柱由第三梯形鐵芯片組成，所述第三梯形鐵芯片具有上斜面和下斜面。

優選的，每一組中柱由兩個第四梯形鐵芯片組成，所述兩個第四梯形鐵芯片的下底相拼接，每一組的兩個第四梯形鐵芯片拼接成上V形凸面和下V形凸面。

優選的，所述兩個側柱的上斜面分別與所述上鐵軛的兩個第一斜面相拼接，所述兩個側柱的下斜面分別與所述下鐵軛的兩個第二斜面相拼接，所述中柱的上V形凸面與所述上鐵軛的上V形凹槽相拼接，所述中柱的下V形凹面與所述下鐵軛的下V形凹槽相拼接。

優選的，所述梯形鐵芯片為梯形體硅鋼片。

本發明采用以上結構，鐵芯全部采用梯形鐵芯片，硅鋼卷料帶材可以在所有硅鋼片剪切設備中套裁，幾乎無廢料產生；梯形鐵芯片片形簡單，可簡化鐵芯疊片生產流水線，便于生產，提高工效。

附圖說明

圖1為一種三相三柱式變壓器鐵芯的傳統拼片結構。

圖2為本發明的一種優選實施例的結構示意圖。

圖3為梯形體硅鋼片的剪切示意圖。

圖中：1、上鐵軛；11、第一梯形鐵芯片；12、第二梯形鐵芯片；?2、下鐵軛；?3、側柱；31、第三梯形鐵芯片；?4、中柱；41、第四梯形鐵芯片；5、梯形鐵芯片。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明的內容用一種優選實施例來作詳細闡述。

參照圖1所示，三相三柱式變壓器鐵芯的傳統拼片結構至少由三種片形構成，且上下軛和中柱所用的硅鋼片在剪切過程不可避免的產生廢料。

參照圖2所示，本實施例為一種三相三柱式變壓器鐵芯的拼片結構。包括上鐵軛1、下鐵軛2、兩個側柱3、一個中柱4，上鐵軛1、下鐵軛2、側柱3、中柱4由其厚度方向并排排列的n組梯形鐵芯片拼接制成，其中n大于等于1。

所述梯形鐵芯片的梯形面的底角為45°。

每一組上鐵軛1包括一個第一梯形鐵芯片11和兩個第二梯形鐵芯片12，所述第一梯形鐵芯片11的上底面分別與兩個第二梯形鐵芯片12的下底面相拼接，每一組上鐵軛1中的第一梯形鐵芯片分別與兩個第二梯形鐵芯片的側面拼接成兩個第一斜面和V形凹槽。

每一組下鐵軛2包括一個第一梯形鐵芯片11和兩個第二梯形鐵芯片12，所述第一梯形鐵芯片11的上底面分別與兩個第二梯形鐵芯片12的下底面相拼接，每一組下鐵軛2中的第一梯形鐵芯片11分別與兩個第二梯形鐵芯片12的側面拼接成兩個第二斜面和V形凹槽。