[發(fā)明專利]一種新型場發(fā)射陰極

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210583060.1
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103065915A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李崗;國欣鑫;張曉輝
• 申請（專利權(quán)）人: 青島艾德森能源科技有限公司
• 主分類號: H01J29/04
• 分類號: H01J29/04;H01J1/304
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種新型場發(fā)射陰極。

背景技術(shù)

隨著科技的發(fā)展和進步，場發(fā)射顯示技術(shù)得到了極大關(guān)注，尤其是場發(fā)射陰極的結(jié)構(gòu)和性能成為研究的熱點，雖然目前市場上的場發(fā)射陰極種類繁多，但是目前的場發(fā)射陰極還存在著各種缺點和不足。

因此，尋找一種制備工藝簡單、成本低廉、性能良好的場發(fā)射陰極成為亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種新型場發(fā)射陰極，該場發(fā)射陰極包括基板、設(shè)置在基板上的氧化鋅納米線陣列。

有益效果

本發(fā)明制備的氧化鋅納米線陣列經(jīng)過光譜分析，顯示納米結(jié)構(gòu)有序，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。

實施例1

該基板為普通玻璃，在玻璃基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。

實施例2

該基板為二氧化硅基板，在二氧化硅基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。

實施例3

該基板為硅基板，在硅基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。