[發(fā)明專利]一種帶有方形凹槽的沖壓框架的扁平多芯片封裝件及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210582792.9
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN103021996A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭小偉;蒲鴻鳴;崔夢;劉衛(wèi)東;朱文輝
• 申請（專利權(quán)）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L25/00;H01L21/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種帶有方形凹槽的沖壓框架的扁平多芯片封裝件，其特征在于：主要由引線框架（1）、方形凹槽（5）、下芯片（3）、上芯片（8）、下粘片膠（2）、上粘片膠（7）、下鍵合線（4）、中鍵合線（9）、上鍵合線（10）和塑封體（6）組成；所述引線框架（1）開有方形凹槽（5），所述引線框架（1）通過下粘片膠（2）與下芯片（3）粘接，所述下芯片（3）通過上粘片膠（7）與上芯片（8）粘接，所述下鍵合線（4）連接引線框架（1）和下芯片（3），所述中鍵合線（9）連接下粘片膠（2）和上粘片膠（7），所述上鍵合線（10）連接上粘片膠（7）和引線框架（1），所述塑封體（6）包圍引線框架（1）、下芯片（3）、上芯片（8）、下粘片膠（2）、上粘片膠（7）、下鍵合線（4）、中鍵合線（9）、上鍵合線（10），特別是塑封體（6）填充方形凹槽（5），引線框架（1）、下芯片（3）、上芯片（8）、下鍵合線（4）、中鍵合線（9）、上鍵合線（10）構(gòu)成電路的電源和信號(hào)通道。

2.一種帶有方形凹槽的沖壓框架的扁平多芯片封裝件的制作方法，其特征在于：所述方法主要按照以下步驟進(jìn)行：

第一步：晶圓減薄：減薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra?0.10mm～0.05mm；

第二步：劃片：150μm以上晶圓同普通QFN劃片工藝，但厚度在150μm以下晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其工藝；

第三步：上芯（粘片）：既可采用粘片膠又可采用膠膜片（DAF）上芯；

第四步：壓焊：壓焊同常規(guī)QFN/DFN工藝相同；

第五步：塑封：在引線框架（1）上用沖孔或鉆孔的方法做成方形凹槽（5）后，塑封時(shí)塑封體（6）會(huì)自動(dòng)填入方形凹槽（5），在引線框架（1）與塑封體（6）之間形成有效的防拖拉結(jié)構(gòu)；

第六步：后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝等均與

常規(guī)QFN/DFN工藝相同。