[發明專利]一種底填料固化后晶圓減薄的單芯片封裝件及其制作工藝

在審

• 申請號: 201210582312.9
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103094236A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 劉衛東;諶世廣;徐召明;朱文輝;馬利
• 申請（專利權）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種底填料固化后晶圓減薄的單芯片封裝件，其特征在于：主要由基板（1）、鎳金焊盤（2）、芯片（4）、錫銀凸點（5）、底填料（6）和錫球（9）組成；所述鎳金焊盤（2）固定連接于基板（1）上，錫銀凸點（5）固定連接于芯片（4）上；所述錫銀凸點（5）與鎳金焊盤（2）的中心線重合并焊接連接；所述底填料（6）填充基板（1）與芯片（4）之間的空隙，并包圍鎳金焊盤（2）和錫銀凸點（5）；所述錫銀凸點（5）與鎳金焊盤（2）的焊接采用助焊劑（3）焊接。

2.一種底填料固化后晶圓減薄的單芯片封裝件及其制作工藝，其特征在于：其按照以下步驟進行：

第一步、上芯、回流焊：首先，在基板（1）的鎳金焊盤（2）上刷一層35μm--60μm的助焊劑（3）；其次，使錫銀凸點（5）與鎳金焊盤（2）的中心線重合并通過助焊劑（3）黏結接觸；再次，在255±5℃的回流溫度下，鎳金焊盤（2）與錫銀凸點（5）有效形成焊接結，即形成金屬間化合物；最后，芯片（4）被牢固地焊接在基板（1）上；

第二步、去離子水清洗：用10MΩ·CM左右的去離子水清洗殘留在錫銀凸點（5）上的助焊劑（3）和其他雜質；

第三步、下填：首先，對基板（1）進行125℃/150min的烘烤，去除基板（1）與芯片（4）上的水汽；其次，將產品用等離子氣體清洗；再次，使用底填料（6）填充芯片（4）與基板（1）的空隙；

第四步、固化：采用清潔的烘箱，在溫度150℃，持續時間2小時對下填的產品進行固化；

第五步、晶圓減薄：用金剛石研磨輪先進行粗磨，然后精磨，最終晶圓厚度減薄至100μm以下；

第六步、植球、檢驗、包裝、入庫。