[發明專利]集成異質結半導體器件和用于生產該半導體器件的方法有效
| 申請號： | 201210582153.2 | 申請日： | 2012-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103187442A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | G.迪波爾德;G.普雷希特爾 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L27/06;H01L21/335;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;劉春元 |
| 地址： | 奧地利*** | 國省代碼： | 奧地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成 異質結 半導體器件 用于 生產 方法 | ||
1.一種生產半導體器件的方法，其包括：
-?提供具有限定垂直方向的<111>表面的硅襯底；
-?在硅襯底中形成至少一個電子部件；
-?在硅襯底上形成至少兩個外延半導體層，以在<111>表面之上形成異質結；以及
-?在<111>表面之上形成HEMT結構。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，至少一個電子部件被選自包括雙極部件、FET部件和電阻器的組。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，形成至少兩個外延半導體層包括下面中的至少一個：
-?外延淀積GaN，以形成與<111>表面接觸的緩沖層；
-?外延淀積AlxGa(1-x)N層，以在<111>表面上形成緩沖層；
-?外延淀積超晶格結構，以在<111>表面上形成緩沖層；
-?在緩沖層上外延淀積GaN層；
-?在GaN層上外延淀積AlN層；以及
-?在GaN層上外延淀積InxAlyGa(1-x-y)N。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，HEMT結構被形成，使得HEMT結構在垂直方向上與第一電子部件至少部分地重疊。
5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在形成至少一個電子部件之前，部分地去除至少兩個外延半導體層，以使硅襯底的部分暴露。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，至少一個電子部件在形成異質結之后至少部分地被形成。
7.根據權利要求1所述的方法，其中，至少一個電子部件被形成為FET結構。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，在形成異質結之前，至少一個電子部件被形成為雙極部件和/或電阻器。
9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：
形成穿過至少兩個外延半導體層的溝槽；以及
在溝槽中形成貫穿接觸部，以電接觸至少一個電子部件。
10.一種生產半導體器件的方法，其包括：
-?提供具有限定垂直方向的第一表面的<111>硅片；
-?在<111>硅片中形成電阻器和雙極半導體結構中的至少一個；
-?通過外延淀積在<111>硅片上形成至少兩個寬帶隙半導體層；以及
-?在至少兩個寬帶隙半導體層中形成HEMT結構。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，形成至少兩個寬帶隙半導體層包括下面中的至少一個：
-?外延淀積基本上非摻雜的GaN、AlxGa(1-x)N層和超晶格結構中的至少一個，以形成與<111>表面接觸的緩沖層；
-?在緩沖層上外延淀積GaN；
-?在被淀積的GaN上外延淀積AlN；以及
-?在被淀積的GaN上外延淀積InxAlyGa(1-x-y)N。
12.根據權利要求10所述的方法，進一步包括：
形成穿過至少兩個寬帶隙半導體層的溝槽；以及
在溝槽中形成貫穿接觸部，以電接觸雙極半導體結構和/或電阻器。
13.一種生產半導體器件的方法，其包括：
-?提供具有限定垂直方向的第一表面的<111>硅片；
-?通過外延淀積在<111>硅片上形成至少兩個寬帶隙半導體層，以在第一表面之上形成異質結；
-?在第一表面之上形成HEMT結構；
-?部分地去除至少兩個寬帶隙半導體層，以使第一表面的部分暴露；以及
-?在異質結以下形成至少一個電子部件。
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