[發明專利]噴淋頭及化學氣相沉積設備無效
| 申請號: | 201210580845.3 | 申請日: | 2012-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN103074605A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 喬徽 | 申請(專利權)人: | 光達光電設備科技(嘉興)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 314300 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴淋 化學 沉積 設備 | ||
1.一種噴淋頭,包括頂板和氣體分配板,所述頂板與所述氣體分配板之間限定氣體擴散腔;所述氣體分配板具有多個貫穿所述氣體分配板的出氣通道,所述出氣通道連接所述氣體擴散腔,其特征在于:所述噴淋頭還包括隔板;所述隔板設置在所述頂板與所述氣體分配板之間,所述隔板將所述氣體擴散腔在平行所述氣體分配板的平面上間隔成至少兩個氣體擴散區;至少兩個進氣管路分別獨立向所述至少兩個氣體擴散區輸入氣體。
2.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述噴淋頭呈圓盤或圓環型。
3.如權利要求2所述的噴淋頭,其特征在于,所述至少兩個氣體擴散區依次相包繞。
4.如權利要求3所述的噴淋頭,其特征在于,所述至少兩個氣體擴散區為至少兩個相互包繞的圓盤或圓環區域。
5.如權利要求3所述的噴淋頭,其特征在于,所述至少兩個氣體擴散區包括相鄰的內氣體擴散區和外氣體擴散區,所述外氣體擴散區圍繞所述內氣體擴散區,所述內氣體擴散區具有沿所述噴淋頭的徑向向外的突出部,所述突出部的尺寸沿徑向向外逐漸變小。
6.如權利要求5所述的噴淋頭,其特征在于,所述內氣體擴散區的外邊緣呈星形、蓮花形或紫荊花型。
7.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述隔板的材料為抗刻蝕材料。
8.如權利要求7所述的噴淋頭,其特征在于,所述隔板的材料為陶瓷或不銹鋼。
9.如權利要求7所述的噴淋頭,其特征在于,所述隔板的材料為至少氫氣分子能夠透過,而分子大于氮氣的氣體分子不能夠透過的材料。
10.如權利要求7所述的噴淋頭,其特征在于,所述隔板的材料為特氟龍。
11.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,每個進氣管路具有流量控制單元,所述流量控制單元用于控制所述進氣管路輸入對應氣體擴散區的氣體流量。
12.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述隔板與所述頂板或所述氣體分配板一體成型。
13.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述隔板為可拆卸地安裝在所述頂板與所述氣體分配板之間。
14.如權利要求13所述的噴淋頭,其特征在于,所述頂板和所述氣體分配板夾持所述隔板,使得所述隔板固定在所述頂板與所述氣體分配板之間。
15.一種噴淋頭,包括頂板和氣體分配板,所述頂板與所述氣體分配板之間限定氣體擴散腔;所述氣體分配板具有多個貫穿所述氣體分配板的出氣通道,所述出氣通道連接所述氣體擴散腔,其特征在于:所述噴淋頭還包括隔板;所述隔板設置在所述頂板與所述氣體分配板之間,所述隔板將所述氣體擴散腔在平行所述氣體分配板的平面上間隔成至少兩個氣體擴散區;至少兩個氣體流量獨立控制的進氣管路分別向所述至少兩個氣體擴散區輸入氣體。
16.一種化學氣相沉積設備,包括反應腔,所述反應腔包括設置在所述反應腔頂部的噴淋頭和設置在所述反應腔底部且與所述噴淋頭相對設置的承載臺,所述承載臺能夠相對噴淋頭旋轉,其特征在于,所述噴淋頭為如上述任意一項所述的噴淋頭。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





