[發明專利]控制系統及其控制方法

無效

• 申請號: 201210580809.7
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103074617A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 喬徽
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種控制系統，用于控制半導體加工設備的加熱單元對反應腔內的托盤或/和襯底進行加熱，所述控制系統包括：

探測單元，用于探測所述反應腔內的氣體信息；

參數設定單元，用于基于所述氣體信息設定控制參數；

控制單元，與所述參數設定單元相連，所述控制單元基于所述參數設定單元設定的控制參數控制所述加熱單元進行加熱。

2.如權利要求1所述的控制系統，其特征在于：所述參數設定單元包括：

參數存放單元，用于存放氣體信息與控制參數的對應關系；

參數選擇單元，分別與所述探測單元和所述參數存放單元相連，所述參數選擇單元基于所述氣體信息通過查找所述參數存放單元確定所述控制參數。

3.如權利要求1所述的控制系統，其特征在于：所述氣體信息包括反應腔內的氣體的組分、流量、流速和壓力中的一種或幾種。

4.如權利要求3所述的控制系統，其特征在于：所述半導體加工設備為LED外延片外延設備，所述氣體包括氨氣和氫氣混合氣體、氨氣和氮氣混合氣體或氨氣和氫氣與氮氣混合氣體。

5.如權利要求3所述的控制系統，其特征在于：所述半導體加工設備具有向所述反應腔輸送氣體的進氣管路和排除氣體的出氣管路，所述探測單元與所述進氣管路或出氣管路相連，或設置于所述進氣管路或出氣管路之中，以探測所述氣體信息。

6.如權利要求1至5中任一項所述的控制系統，其特征在于：所述控制單元為比例-積分-微分控制器，所述控制參數包括所述比例-積分-微分控制器的比例常數、積分常數和微分常數。

7.如權利要求1所述的控制系統，其特征在于：所述半導體加工設備為沉積設備、刻蝕設備或離子注入設備。

8.一種控制方法，用于控制半導體加工設備的加熱單元對反應腔內的托盤或/和襯底進行加熱，所述控制方法包括：

提供一探測單元，所述探測單元探測所述反應腔內的氣體信息，并輸出一氣體信息信號；

提供一參數設定單元，所述參數設定單元接收所述氣體信息信號，根據所述氣體信息信號輸出一控制參數信號；

提供一控制單元，所述控制單元接收所述控制參數信號，并根據所述控制參數信號控制加熱單元對所述托盤或/和襯底進行加熱。

9.如權利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述參數設定單元包括：

參數存放單元，用于存放氣體信息與控制參數的對應關系；

參數選擇單元，分別與所述探測單元和所述參數存放單元相連，所述參數選擇單元接收所述氣體信息信號，根據所述氣體信息信號從所述參數存放單元中選擇出與所述氣體信息信號對應的控制參數，所述參數選擇單元根據所述控制參數輸出所述控制參數信號。

10.如權利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述氣體信息包括反應腔內的氣體的組分、流量、流速和壓力中的一種或幾種。

11.如權利要求10所述的控制方法，其特征在于：所述半導體加工設備為LED外延片外延設備，所述氣體包括氨氣和氫氣混合氣體、氨氣和氮氣混合氣體或氨氣和氫氣與氮氣混合氣體。

12.如權利要求10所述的控制方法，其特征在于：所述半導體加工設備具有向所述反應腔輸送氣體的進氣管路和排除氣體的出氣管路，所述探測單元與所述進氣管路或出氣管路相連，或設置于所述進氣管路或出氣管路之中，以探測所述氣體信息。

13.如權利要求8至12中任一項所述的控制方法，其特征在于：所述控制單元為比例-積分-微分控制器，所述控制參數包括所述比例-積分-微分控制器的比例常數、積分常數和微分常數。

14.如權利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述半導體加工設備為沉積設備、刻蝕設備或離子注入設備。