[發(fā)明專(zhuān)利]控制系統(tǒng)及其控制方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210580809.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103074617A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬徽
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 光達(dá)光電設(shè)備科技（嘉興）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/52
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/52
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種控制系統(tǒng)，用于控制半導(dǎo)體加工設(shè)備的加熱單元對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)的托盤(pán)或/和襯底進(jìn)行加熱，所述控制系統(tǒng)包括：

探測(cè)單元，用于探測(cè)所述反應(yīng)腔內(nèi)的氣體信息；

參數(shù)設(shè)定單元，用于基于所述氣體信息設(shè)定控制參數(shù)；

控制單元，與所述參數(shù)設(shè)定單元相連，所述控制單元基于所述參數(shù)設(shè)定單元設(shè)定的控制參數(shù)控制所述加熱單元進(jìn)行加熱。

2.如權(quán)利要求1所述的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述參數(shù)設(shè)定單元包括：

參數(shù)存放單元，用于存放氣體信息與控制參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

參數(shù)選擇單元，分別與所述探測(cè)單元和所述參數(shù)存放單元相連，所述參數(shù)選擇單元基于所述氣體信息通過(guò)查找所述參數(shù)存放單元確定所述控制參數(shù)。

3.如權(quán)利要求1所述的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述氣體信息包括反應(yīng)腔內(nèi)的氣體的組分、流量、流速和壓力中的一種或幾種。

4.如權(quán)利要求3所述的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述半導(dǎo)體加工設(shè)備為L(zhǎng)ED外延片外延設(shè)備，所述氣體包括氨氣和氫氣混合氣體、氨氣和氮?dú)饣旌蠚怏w或氨氣和氫氣與氮?dú)饣旌蠚怏w。

5.如權(quán)利要求3所述的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述半導(dǎo)體加工設(shè)備具有向所述反應(yīng)腔輸送氣體的進(jìn)氣管路和排除氣體的出氣管路，所述探測(cè)單元與所述進(jìn)氣管路或出氣管路相連，或設(shè)置于所述進(jìn)氣管路或出氣管路之中，以探測(cè)所述氣體信息。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述控制單元為比例-積分-微分控制器，所述控制參數(shù)包括所述比例-積分-微分控制器的比例常數(shù)、積分常數(shù)和微分常數(shù)。

7.如權(quán)利要求1所述的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述半導(dǎo)體加工設(shè)備為沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備或離子注入設(shè)備。

8.一種控制方法，用于控制半導(dǎo)體加工設(shè)備的加熱單元對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)的托盤(pán)或/和襯底進(jìn)行加熱，所述控制方法包括：

提供一探測(cè)單元，所述探測(cè)單元探測(cè)所述反應(yīng)腔內(nèi)的氣體信息，并輸出一氣體信息信號(hào)；

提供一參數(shù)設(shè)定單元，所述參數(shù)設(shè)定單元接收所述氣體信息信號(hào)，根據(jù)所述氣體信息信號(hào)輸出一控制參數(shù)信號(hào)；

提供一控制單元，所述控制單元接收所述控制參數(shù)信號(hào)，并根據(jù)所述控制參數(shù)信號(hào)控制加熱單元對(duì)所述托盤(pán)或/和襯底進(jìn)行加熱。

9.如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述參數(shù)設(shè)定單元包括：

參數(shù)存放單元，用于存放氣體信息與控制參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

參數(shù)選擇單元，分別與所述探測(cè)單元和所述參數(shù)存放單元相連，所述參數(shù)選擇單元接收所述氣體信息信號(hào)，根據(jù)所述氣體信息信號(hào)從所述參數(shù)存放單元中選擇出與所述氣體信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的控制參數(shù)，所述參數(shù)選擇單元根據(jù)所述控制參數(shù)輸出所述控制參數(shù)信號(hào)。

10.如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述氣體信息包括反應(yīng)腔內(nèi)的氣體的組分、流量、流速和壓力中的一種或幾種。

11.如權(quán)利要求10所述的控制方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體加工設(shè)備為L(zhǎng)ED外延片外延設(shè)備，所述氣體包括氨氣和氫氣混合氣體、氨氣和氮?dú)饣旌蠚怏w或氨氣和氫氣與氮?dú)饣旌蠚怏w。

12.如權(quán)利要求10所述的控制方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體加工設(shè)備具有向所述反應(yīng)腔輸送氣體的進(jìn)氣管路和排除氣體的出氣管路，所述探測(cè)單元與所述進(jìn)氣管路或出氣管路相連，或設(shè)置于所述進(jìn)氣管路或出氣管路之中，以探測(cè)所述氣體信息。

13.如權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：所述控制單元為比例-積分-微分控制器，所述控制參數(shù)包括所述比例-積分-微分控制器的比例常數(shù)、積分常數(shù)和微分常數(shù)。

14.如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體加工設(shè)備為沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備或離子注入設(shè)備。