[發明專利]用于制備氮化物外延生長的納米圖形襯底的方法

有效

• 申請號: 201210580748.4
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103035806A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 牛鳳娟;苗振林;趙勝能;胡棄疾
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L21/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉華聯

1.一種用于制備氮化物外延生長的納米圖形襯底的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）在氮化物外延生長的襯底上制備微米PSS襯底；

2）在所述微米PSS襯底上沉積二氧化硅膜；

3）在所述二氧化硅膜上蒸鍍金屬Ni層；

4）通過退火處理，在所述二氧化硅膜的表面上形成均勻分布的納米尺度的金屬Ni顆粒；

5）利用所形成的納米尺度的金屬Ni顆粒作為掩膜，刻蝕所述二氧化硅膜，形成納米圖形結構；

6）以所述具有納米圖形結構的二氧化硅為掩膜刻蝕襯底，將納米圖形結構轉移到微米PSS襯底上；

7）通過腐蝕去除所述二氧化硅膜，得到納米級圖形襯底。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1）中的所述氮化物外延生長的襯底為藍寶石、硅、碳化硅、砷化鎵的襯底。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟1）中，在所述襯底的表面上均勻涂覆一層厚度在1.5μm至4.0μm的正性光刻膠。

4.如上述權利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述微米PSS襯底的圖形高度為0.5μm至1.8μm。

5.如上述權利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅膜的厚度為50nm至400nm。

6.如上述權利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述金屬Ni層的厚度為2nm至30nm。

7.如上述權利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述退火處理的條件為：在流動的高純N₂氣氛下，溫度為400至800℃，時間為20S至1400S。

8.如上述權利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述刻蝕是采用反應離子刻蝕機或感應耦合等離子體刻蝕機進行的干法刻蝕，所使用的刻蝕氣體為BCl₃、Cl₂或Ar，并且所形成的所述納米圖形結構的尺度為1nm至100nm。

9.如上述權利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述腐蝕采用硫酸雙氧水進行，且所述硫酸雙氧水比例為1:1至4.5:1。